AO3423B

漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：92mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：P沟道 P沟道,-20V,-2A,900mW

器件类别：分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称：台湾美丽微(FMS)

厂商官网：http://www.formosagr.com/