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AS2341

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 3.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.2W 类型:P沟道 P沟道,-20V,-4A,55mΩ@-4.5V

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:台湾安邦(AnBon)

厂商官网:http://www.formosagr.com/

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
4A
栅源极阈值电压
900mV @ 250uA
漏源导通电阻
55mΩ @ 3.3A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.2W
类型
P沟道
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