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BAT721S

0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
0.2 A, 2 组成, 硅, 信号二极管, TO-236AB

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
包装说明
ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数
3
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
元件数量
2
端子数量
3
最高工作温度
125 °C
最大输出电流
0.2 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
40 V
表面贴装
YES
技术
SCHOTTKY
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
文档预览
BAT721C / BAT721S
SCHOTTKY BARRIER (DOUBLE) DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Guard ring protected
• Small plastic SMD package
• Ultra high-speed switching
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.120(3.04)
.006(0.15)MIN.
40 Volts
CURRENT
200 mA
• Low forward voltage
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-23, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Weight: 0.0003 ounce, 0.0084 gram
.079(2.00)
.070(1.80)
.008(0.20)
.003(0.08)
.004(0.10) MAX.
LIMITING VALUES
PARAMETER
C o nti nuo us r e ve r s e vo lta g e
C o nti nuo us fo rw a rd c urr e nt
N o n r e p e ti ti ve p e a k fo rwa r d c urr e nt
Storage temperature range
J unc ti o n te m p e ra tur e
tp=8.3ms half sinewave JEDEC
method
CONDITIONS
SYMBOL
V
R
I
F
I
FSM
T
STG
T
J
MIN.
-
-
-
-65
-
MAX.
40
200
1
+150
125
UNIT
V
mA
A
o
C
C
O
1. In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
M a rk i ng C o d e
The r ma l re s i s t a nc e f ro m junc ti o n to a m b i e nt
C i rc ui t F i g ht
SYMBOL
-
R
θJA
-
C o mm o n
C a tho d e
BAT721C
72C
556
S e ri e s
BAT721S
72S
o
UNIT
-
C/W
-
2. Refer to SOT23 standard mounting conditions.
COMMON CATHODE
SERIES
3. Mount on FR-5 1x0.75x0.062 in.
Fig.16
Fig.17
PAN JIT RESERVES THE RIGHT TO CHANGE THE SPECIFICATION ANY TIME WITHOUT NOTICE IN ORDER TO IMPROVE THE
DESIGN AND SUPPLY THE BEST POSSIBLE PRODUCT.
July 20.2010-REV.01
PAGE . 1
BAT721C / BAT721S
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj=25C unless otherwise specified.
PA RA M E TE R
C o nt i nuo us f o rwa r d vo lt a g e
S YMB OL
V
F
C OND ITIONS
I
F
=10mA
I
F
= 1 0 0 m A
I
F
=200mA
V
R
= 3 0 V
C o nt i nuo us re ve rs e c urre nt
I
R
V
R
= 3 0 V, T
J
= 1 0 0 C
Diode capacitance
C
d
f= 1 M Hz, V
R
= 0
o
MIN.
-
MA X .
300
420
550
15
UNIT
mV
-
-
40
μA
3
50
pF
4. Pulse test : tp<300μs,
δ
< 0.02.
Reverse Leakage Current I
R
,
m
A
10000
VR =40V
25
Junction Capacitance C
J
, pF
20
1000
15
100
10
5
10
0
20
40
60
80
100
120
140
0
0
10
20
30
40
50
Junction Temperature T
J
, °C
Reverse Bias Voltage V
R
, V
FIG. 1-
Reverse Leakage Current vs. Junction Temperature
FIG. 2-
Typical Junction Capacitance under Bias
1000
Forward Current I
F
, mA
100
10
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
Forward Voltage V
F
, V
FIG. 3
Typical Forward Voltage
July 20.2010-REV.01
PAGE . 2
BAT721C / BAT721S
MOUNTING PAD LAYOUT
ORDER INFORMATION
• Packing information
T/R - 12K per 13" plastic Reel
T/R - 3K per 7” plastic Reel
LEGAL STATEMENT
Copyright PanJit International, Inc 2010
The information presented in this document is believed to be accurate and reliable. The specifications and information herein
are subject to change without notice. Pan Jit makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its
products for any particular purpose. Pan Jit products are not authorized for use in life support devices or systems. Pan Jit
does not convey any license under its patent rights or rights of others.
July 20.2010-REV.01
PAGE .
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