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BAW56W_04

0.15 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
0.15 A, 75 V, 2 组成, 硅, 信号二极管

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

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器件参数
参数名称
属性值
端子数量
3
元件数量
2
加工封装描述
塑料 PACKAGE-3
状态
TRANSFERRED
包装形状
矩形的
包装尺寸
SMALL OUTLINE
表面贴装
Yes
端子形式
GULL WING
端子涂层
NOT SPECIFIED
端子位置
包装材料
塑料/环氧树脂
结构
系列 CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料
最大功耗极限
0.2000 W
二极管类型
信号二极管
反向恢复时间最大
0.0060 us
最大重复峰值反向电压
75 V
最大平均正向电流
0.1500 A
文档预览
DATA SHEET
BAW56W,BAV70W,BAV99W,BAL99W
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
VOLTAGE
FEATURES
.087(2.2)
.078(2.0)
100Volts
POWER
200mWatts
SOT-323
Unit: inch (mm)
• Surface mount package Ideally Suited for Automatic insertion
• Electrically Identical to Standard JEDEC
• High Conductance
• Both normal and Pb free product are available :
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
Pb free: 98.5% Sn above
.087(2.2)
.070(1.8)
.054(1.35)
.045(1.15)
.056(1.40)
.047(1.20)
.004(.10)MAX.
Case: SOT-323, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Approx. Weight: 0.0052 gram
.016(.40)
.078(.20)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified. For capacitive load, derate current by 20%.
P A R A M E TE R
M a rki g C o d e
n
R e ve rse V o l a g e
t
P e a k R e ve rse V o l a g e
t
R e ct f e d C urre nt (A ve ra g e ), H a l W a ve R e ct f ca t o n
ii
f
ii
i
w i h R e si t ve L o a d a nd f > = 5 0 H z
t
s i
P e a k F o rw a rd S urg e C urre nt 1 . us
, 0
P o w e r D i si a t o n D e ra t A b o ve 2 5
O
C
s p i
e
V
R
V
RM
I
O
I
SM
F
P
TO T
S YM B O L
B A W 56W
JC
B A V 70W
JA
75
100
150
2.
0
200
0. 15 @ I =0. 01A
7
F
0
0. 55 @ I =0. 1A
8
F
0
1. @ I =0. 5A
0
F
0
1. 5 @ I =0. 5A
2
F
1
0. 3
0
2.
5
1.
5
4.
0
625
-5 5 T O + 1 5 0
C om m on
A no d e
COMMON ANODE
O
B A V 99W
JG
B A L99W
JF
.044(1.1)
.035(0.9)
MECHANICAL DATA
.004(.10)MIN.
• Fast switching speed.
.006(.15)
.002(.05)
UNI S
T
V
V
mA
A
mW
M a xi um F o rw a rd V o l a g e
m
t
V
F
V
M a xi um D C R e ve rse C urre nt a t 2 5 V
m
75V
M a xi um Junct o n C a p a ci a nce ( N o t s 1 )
m
i
t
e
M a xi um R e ve rse R e co ve ry Ti e (N o t s 2 )
m
m
e
M a xi um T he rm a l R e si t nce
m
s a
Junct o n Te m p e ra t re R a ng e
i
u
C i cui F i ure
r
t g
I
R
CJ
T
R R
R
θ
JA
T
J
µ
A
pF
ns
C /W
O
C
C om m on
C at ode
h
S e ri s
e
S i g l (A l )
n e
t
COMMON CATHODE
SERIES
SINGLE (Alt)
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHZ
2.From I
F
=10mA to I
R
=1mA, V
R
=6Volts, R
L
=100Ω
STAD-JUL.30.2004
PAGE . 1
1000
10
T
J
=125
O
C
FORWARD CURRENT, mA
100
REVERSE CURRENT, u A
1.0
10
0.1
T
J
=75
O
C
1
0.01
T
J
=25
O
C
0 . 00 1
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
20
40
60
80
100
FORWARD VOLTAGE, Volts
REVERSE VOLTAGE, Volts
FIG. 1-TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
FIG. 2-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
3.0
P
D
,
POWER DISSIPATION (mW)
DIODE CAPACIT
ANCE, pF
4.0
400
300
2.0
200
1.0
100
0
0
2
4
6
8
0
50
100
150
O
200
REVERSE VOLTAGE, Volts
AMBIENT TEMPERATURE( C)
FIG. 4 POWER DERATING CURVE
FIG. 3 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
STAD-JUL.30.2004
PAGE . 2
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