BML6402

漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.7A 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 3.7A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：P沟道 MOSFET,P-channel 20/12V 3.7A VGS(th)=1V 50mΩ@3.7A&4.5V,SOT-23

器件类别：分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称：伯恩半导体(BORN)

厂商官网：http://www.born-tw.com/