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BR13N50

漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:480mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):195W(Tc) 类型:N沟道 N沟道

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:蓝箭(BLUE ROCKET)

厂商官网:http://www.fsbrec.com/

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
13A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
480mΩ @ 6.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
195W(Tc)
类型
N沟道
文档预览
BR13N50
Rev.F Jul.-2018
DATA SHEET
描述
/
Descriptions
TO-220
塑封封装
N
沟道
MOS
场效应管。N-CHANNEL
MOSFET in a TO-220 Plastic Package.
特征
/ Features
½的门槛电压、反向传输电容小、开关速度快。
Low gate charge, Low Crss , Fast switching.
用途
/
Applications
用于小型化高效率的开关电源的 AC/DC 功率½换。
It is very suitable for various AC/DC power conversion in switching mode operatio for system
miniaturization and higher efficiency.
内部等效电路
/ Equivalent Circuit
引脚排列
/ Pinning
1
2
3
PIN1:G
放大及印章代码
PIN 2:D
PIN 3:S
/ h
FE
Classifications & Marking
见印章说明。
See Marking Instructions.
http://www.fsbrec.com
1
/
6
BR13N50
Rev.F Jul.-2018
DATA SHEET
极限参数
/ Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
参数
Parameter
符号
Symbol
V
DSS
I
D
(Tc=25℃)
I
D
(Tc=100℃)
I
DM
V
GSS
E
AS
E
AR
I
AR
P
D
(Tc=25℃)
T
J
,T
STG
数值
Rating
500
13
8
52
±30
860
19.5
13
195
-55 to 150
单½
Unit
V
A
A
A
V
mJ
mJ
A
W
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current - Pulsed
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Current
Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
电性½参数
/ Electrical Characteristics(Ta=25℃)
符号
测试条件
Symbol
Test Conditions
BV
DSS
V
GS
=0V
I
D
=250μA
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
g
FS
V
SD
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DD
=300V
R
G
=25Ω
I
D
=13A
V
DS
=500V
V
DS
=400V
V
GS
=±30V
V
DS
=V
GS
V
GS
=10V
V
DS
=40V
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
V
GS
=0V
T
C
=125℃
V
DS
=0V
I
D
=250μA
I
D
=6.5A
I
D
=6.5A
I
S
=13A
V
GS
=0V
1580
180
20
25
100
130
100
2.0
0.39
15
1.4
2055
235
25
60
210
270
210
最小值 典型值 最大值 单½
Min
Typ
Max
Unit
500
V
1.0
10
±0.1
4.0
0.48
μA
μA
μA
V
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
参数
Parameter
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current,
Forward
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source
On-Resistance
Forward Transconductance
Drain-Source Diode Forward
Voltage
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
http://www.fsbrec.com
2
/
6
BR13N50
Rev.F Jul.-2018
DATA SHEET
电参数曲线图
/ Electrical Characteristic Curve
http://www.fsbrec.com
3
/
6
BR13N50
Rev.F Jul.-2018
DATA SHEET
外½尺寸图
/ Package Dimensions
http://www.fsbrec.com
4
/
6
BR13N50
Rev.F Jul.-2018
DATA SHEET
印章说明
/
Marking Instructions
BR
13N50
****
说明:
BR:
13N50: 
****:
Note:
BR:
 
13N50:
****:


Company Code
Product Type.
Lot No. Code, code change with Lot No.

为公司代码
为型号代码
为生产批号代码,随生产批号变化。
http://www.fsbrec.com
5
/
6
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