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BR2N7002K2

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.3Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:蓝箭(BLUE ROCKET)

厂商官网:http://www.fsbrec.com/

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
300mA
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
2.3Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
350mW
类型
N沟道
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