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BRD30P06

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:P沟道

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:蓝箭(BLUE ROCKET)

厂商官网:http://www.fsbrec.com/

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
30A(Tc)
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
40mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
60W(Tc)
类型
P沟道
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