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分立半导体
BU931ZM
BU931ZM 功率达林顿晶体管
器件类别：
分立半导体
厂商名称：
华奥电子(HUA)
厂商官网：
http://www.huaaoe.com/
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文档预览
特点
用途
Ic
Icm
Ib
Ibm
Ptot
Tj
缩写
Vceo
Vcbo
Vebo
Tstg
h
FE
Iceo
Iebo
缩写
Vceo
Vce(sat)
丹
东
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华
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奥
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限
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绝对最大额定值
结温
基极电流
贮存温度
集电极电流
丹
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参数
基极峰值电流
发射极-基极 电压
集电极-基极 电压
集电极峰值电流
●
内½钳½稳压和续流二极管
耗散功率
Tc=25℃/带散热片
集电极-发射极 电压
Vbe(sat)
Vf
EC
V
CL
丹
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V
V
V
A
A
A
A
W
℃
单½
℃
5
350
350
15
10
2
1
数值
175
150
V
-65½175
µA
单½
数值
≤50
≥350
Automobile Semiconductor
电参数
（Tamb
= 25℃）
钳½电压
集电极-发射极 电流
集电极-发射极 电压
参数
直流增益
丹东华奥电子有限公司
用于驱动高压电子点火线圈和电机控制
二极管正向电压
发射极-基极 电流
丹
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东华
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奥
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基极-发射极 饱和电压
集电极-发射极 饱和电压
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mA
V
V
V
V
http://www.huaaoe.com
B
≤20
≥300
≤2.5
≤2.2
≤2.5
≤1.8
≤1.8
350~500
NPN
功率达林顿晶½管
TO-263-2L
华
Vce=300V
Ic=100mA Ib=0
测试条件
B
If=10A
晶½管内部等效电路图
Ic=5A Vce=5V
Veb=5.0V Ico=0
Ic=100mA
丹
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TO-220
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司
m
Ic=8A Ib=110mA
Ic=10A Ib=250mA
Ic=8A Ib=110mA
Ic=10A Ib=250mA
BU931ZM
200901
共
1
页 第
1页
201306-A
丹
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