首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

BZM55-C30B

Zener Diode, 30V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, GLASS, MICROMELF-2

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:  

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
零件包装代码
MELF
包装说明
O-LELF-R2
针数
2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
JESD-30 代码
O-LELF-R2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.5 W
标称参考电压
30 V
表面贴装
YES
技术
ZENER
端子形式
WRAP AROUND
端子位置
END
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
最大电压容差
2%
文档预览
BZM55-C2V4 SERIES
SURFACE MOUNT ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 100 Volts
POWER
500 mWatts
MICRO-MELF
Unit : inch (mm)
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
.040(1.0)
.048(1.2)DIA.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass MICRO-MELF
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.011 grams
• Mounting Position: Any
• Packing information
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
.079(2.0)
.071(1.8)
.043(1.1)
.008(0.2)
.008(0.2)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation at Tamb = 25
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature.
O
Symbol
Value
500
175
-65 to +175
Units
mW
O
C
P
TOT
T
J
T
S
C
C
O
Parameter
Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r
Forward Voltage at I
F
= 200mA
Symbol
R
θ
JA
V
F
Min.
--
--
Typ.
--
--
Max.
0.3
1.5
Uni ts
K/mW
V
Vali d provi ded that leads at a di stance of 8mm from case are kept at ambi ent temperature.
STAD-DEC.18.2008
1
PAGE . 1
BZM55-C2V4 SERIES
Nominal Zener Voltage
Part Number
No m. V
BZM55-C2V4
BZM55-C2V7
BZM55-C3V0
BZM55-C3V3
BZM55-C3V6
BZM55-C3V9
BZM55-C4V3
BZM55-C4V7
BZM55-C5V1
BZM55-C5V6
BZM55-C6V2
BZM55-C6V8
BZM55-C7V5
BZM55-C8V2
BZM55-C9V1
BZM55-C10
BZM55-C11
BZM55-C12
BZM55-C13
BZM55-C15
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
Max. Zener Impedance
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ I
ZK
600
600
600
600
600
600
600
600
550
450
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Max Reverse
Leakage Current
I
R
@ V
R
uA
50
10
4
2
2
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
V
Z
@ I
ZT
M i n. V
2.28
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
M a x. V
2.56
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
85
85
85
85
85
85
75
60
35
25
10
8
7
7
10
15
20
20
26
30
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Notes.
STANDARD VOLTAGE TOLERANCE IS + 5% AND :
SUFFIX “ A” FOR + 1%
SUFFIX “ B” FOR + 2%
SUFFIX “ C” FOR + 5%
SUFFIX “ D” FOR + 20%
STAD-DEC.18.2008
1
PAGE . 2
BZM55-C2V4 SERIES
Nominal Zener Voltage
Part Number
No m. V
BZM55-C16
BZM55-C18
BZM55-C20
BZM55-C22
BZM55-C24
BZM55-C27
BZM55-C30
BZM55-C33
BZM55-C36
BZM55-C39
BZM55-C43
BZM55-C47
BZM55-C51
BZM55-C56
BZM55-C62
BZM55-C68
BZM55-C75
BZM55-C82
BZM55-C91
BZM55-C100
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
Max. Zener Impedance
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ I
ZK
170
170
220
220
220
220
220
220
220
500
600
700
700
1000
1000
1000
1500
2000
5000
5000
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
0.1
Max Reverse
Leakage Current
I
R
@ V
R
uA
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
12
14
15
17
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
V
Z
@ I
ZT
M i n. V
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
M a x. V
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
87
96
106
40
50
55
55
80
80
80
80
80
90
90
110
125
135
150
200
250
300
450
450
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1
1
Notes.
STANDARD VOLTAGE TOLERANCE IS + 5% AND :
SUFFIX “ A” FOR + 1%
SUFFIX “ B” FOR + 2%
SUFFIX “ C” FOR + 5%
SUFFIX “ D” FOR + 20%
STAD-DEC.18.2008
1
PAGE . 3
BZM55-C2V4 SERIES
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
POWER DISSIPATION, mWatts
500
400
300
200
100
0
50
100
150
200
O
250
AMBIENT TEMPERATURE, C
FIG. 1 POWER DERATING CURVE
Iz (mA)
50
40
30
20
10
0
5
10
15
20
25
Vz (V)
30
Test Current
Iz = 5mA
27
24
22
12
11
6V8
5V6
5V1
4V7
4V3
3V9
3V3
2V4
15
Fig.2 BREAKDOWN CHARACTERISTICS
9V1
20
STAD-DEC.18.2008
1
PAGE . 4
BZM55-C2V4 SERIES
MOUNTING PAD LAYOUT
ORDER INFORMATION
• Packing information
T/R - 10K per 13" plastic Reel
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
LEGAL STATEMENT
Copyright PanJit International, Inc 2008
The information presented in this document is believed to be accurate and reliable. The specifications and information herein
are subject to change without notice. Pan Jit makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its
products for any particular purpose. Pan Jit products are not authorized for use in life support devices or systems. Pan Jit
does not convey any license under its patent rights or rights of others.
STAD-DEC.18.2008
1
PAGE . 5
查看更多>
富士通FRAM心得提交
FRAM开始流片了啊,真不简单,虽然比起传统FLash,FRAM还有很长的路要走,速度限制是瓶颈,但是,如此优秀的特性必将吸引跟更人来研究铁电材料,希望不久的将来,铁电可以替代现有的存储器。我申请的是MB85RC128,使用MSP430launchpad进行操作,控制芯片是msp430f2013,使用硬件USI进行了FRAM芯片读写。datasheet标注I2C总线频率不超过400k,于是使用了120k左右的频率,效果与普通eeprom没什么太大差别。铁电的优势在于功耗低...
zdh1992 综合技术交流
报告:内存芯片需求旺盛 三星扩大对英特尔领先优势
  北京时间8月21日晚间音讯,调研公司ICInsights今日发布报告称,由于DRAM和NAND闪存需求的持续增长,今年上半年三星电子在全球半导体市场的销售额较英特尔高出22%,而一年前的该比例仅为1%。  2017年第一季度,英特尔仍是全球最大的半导体供给商。事实上,自1993年以来,英特尔不断坚持着全球最大半导体厂商的头衔。但从去年第二季度开端,以及整个2017年,英特尔被三星反超。  ICInsights估计,今年内存类设备将占到三星整体半导体销售额的...
tlyl18108837711 综合技术交流
RK3288资料
RK3288参考原理图资料RK3288资料挺好的资料,有PCB就更好了下载了,谢谢,...
弦上的舞 综合技术交流
今天上午10:00 有奖直播:未来感知 由我先知-传感器在物联网中的最新应用
今天上午10:00有奖直播:未来感知由我先知-传感器在物联网中的最新应用点击进入直播直播时间:2月25日上午10:00-11:30直播主题:未来感知由我先知-传感器在物联网中的最新应用直播介绍:传感器在IIoT,IoMT及个人IoT中应用复合式传感器和无线传感器TEConnectivity简介讲师介绍:江荣TEConnectivity传感器事业部亚太区市场经理拥有18年传感器行业经验...
EEWORLD社区 综合技术交流
今日直播:PI助力高可靠性与高效率的工业计量方案
PowerIntegrations(PI)可提供一系列高度集成的高压IC,用于设计电表及自动抄表系统(ARM)应用中的电源。LinkSwitch系列IC是一种低功率离线式开关器件,它们同时将高精度控制器和高压MOSFET集成在一个低引脚数封装内。LinkSwitchIC广泛使用于众多应用领域,如充电器、适配器、大小家电、消费类音视频系统、电表以及各种工业偏置电源。在本次直播中,PI将为您带来集成额定电压900V的初级MOSFET的三个开关IC系列,可满足工业和公用事业计量的电源需求:L...
EEWORLD社区 综合技术交流
双电源热切换用继电器还是MOS管好
双电源输出的参数一致:DC27V电流12A,热切换用继电器还是MOS管合适?双电源热切换用继电器还是MOS管好DC27V电流12A,热切换用继电器还是MOS管合适?继电器速度不够快,不能做到无缝切换。显然用MOS管好,但在某些特殊场合下如果负载对电源切换时间不敏感且切换频率极低时,追求价格和可靠性反而可能用继电器更合适,比如某些场合不准停止运行的风机就是这样做电源备份切换的。继电器实时性那么明显,但是mos管的话,你需要选择Rgs比较小的mos,否则发热很严重的。 ...
stm32f103vct6 综合技术交流