首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

BZQ5253BT/R7

Zener Diode, 25V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, GLASS, QUADROMELF-2

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
零件包装代码
MELF
包装说明
O-LELF-R2
针数
2
Reach Compliance Code
compliant
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
最大动态阻抗
35 Ω
JESD-30 代码
O-LELF-R2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.5 W
标称参考电压
25 V
表面贴装
YES
技术
ZENER
端子形式
WRAP AROUND
端子位置
END
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
最大电压容差
5%
工作测试电流
5 mA
Base Number Matches
1
文档预览
BZQ5221B SERIES
SURFACE MOUNT ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 75 Volts
POWER
500 mWatts
QUADRO-MELF
Unit : inch (mm)
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
.0
67
.7
(1
)
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass QUADRO-MELF
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.03 grams
• Mounting Position: Any
• Packing information
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
.020(0.5)
.012(0.3)
.146(3.7)
.130(3.3)
.020(0.5)
.012(0.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation at Tamb = 25
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
O
Symbol
P
TOT
T
J
T
S
Value
500
175
-65 to +175
Units
mW
O
C
C
C
O
Parameter
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Forward Voltage at I
F
= 200mA
Symbol
R
θ
JA
V
F
Min.
--
--
Typ.
--
--
Max.
0.3
1.1
Units
K/mW
V
Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
STAD-FEB.10.2009
.063(1.6)
.055(1.4)DIA.
PAGE . 1
BZQ5221B SERIES
Nomi nal Zener Voltage
Part Number
No m. V
BZQ5221B
BZQ5222B
BZQ5223B
BZQ5224B
BZQ5225B
BZQ5226B
BZQ5227B
BZQ5228B
BZQ5229B
BZQ5230B
BZQ5231B
BZQ5232B
BZQ5233B
BZQ5234B
BZQ5235B
BZQ5236B
BZQ5237B
BZQ5238B
BZQ5239B
BZQ5240B
BZQ5241B
BZQ5242B
BZQ5243B
BZQ5244B
BZQ5245B
BZQ5246B
BZQ5247B
BZQ5248B
BZQ5249B
BZQ5250B
BZQ5251B
BZQ5252B
BZQ5253B
BZQ5254B
BZQ5255B
BZQ5256B
BZQ5257B
BZQ5258B
BZQ5259B
BZQ5260B
BZQ5261B
BZQ5262B
BZQ5263B
BZQ5264B
BZQ5265B
BZQ5266B
BZQ5267B
2.4
2.5
2.7
2.8
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
V
Z
@ I
ZT
M i n. V
2.28
2.38
2.57
2.66
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.7
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.5
10.45
11.4
12.35
13.3
14.25
15.2
16.15
17.1
18.05
19
20.9
22.8
23.75
25.65
26.6
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
57
58.9
64.6
71.25
M a x. V
2.52
2.63
2.84
2.94
3.15
3.47
3.78
4.1
4.52
4.94
5.36
5.88
6.3
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
14.7
15.75
16.8
17.85
18.9
19.95
21
23.1
25.2
26.25
28.35
29.4
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
63
65.1
71.4
78.75
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
105
125
150
170
185
230
270
Max. Zener Impedance
Z
ZT
@ I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9
8.5
7.8
7.4
7
6.6
6.2
5.6
5.2
5
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3
2.7
2.5
2.2
2.1
2
1.8
1.7
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
Z
ZK
@ I
ZK
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
uA
100
100
75
75
50
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
Max Reverse
Leakage C urrent
I
R
@ V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
3
4
4
5
6
6.5
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
Notes.
STANDARD VOLTAGE TOLERANCE IS + 5% AND :
SUFFIX “ A” FOR + 3%
SUFFIX “ B” FOR + 5%
SUFFIX “ C” FOR + 10%
SUFFIX “ D” FOR + 20%
STAD-FEB.10.2009
PAGE . 2
BZQ5221B SERIES
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
POWER DISSIPATION, mWatts
500
400
300
200
100
0
50
100
150
200
O
250
AMBIENT TEMPERATURE, C
FIG. 1 POWER DERATING CURVE
Vz (V)
Iz (mA)
50
40
30
20
10
0
5
10
15
20
25
30
Test Current
Iz = 20mA
5242
5241
5239
5245
5235
5234
5232
5231
5230
5229
5250
5252
5228
5224
Fig.2 BREAKDOWN CHARACTERISTICS
STAD-FEB.10.2009
PAGE . 3
BZQ5221B SERIES
MOUNTING PAD LAYOUT
ORDER INFORMATION
• Packing information
T/R - 10K per 13" plastic Reel
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
LEGAL STATEMENT
Copyright PanJit International, Inc 2009
The information presented in this document is believed to be accurate and reliable. The specifications and information herein
are subject to change without notice. Pan Jit makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its
products for any particular purpose. Pan Jit products are not authorized for use in life support devices or systems. Pan Jit
does not convey any license under its patent rights or rights of others.
STAD-FEB.10.2009
PAGE . 4
查看更多>
如何检查 4G 网络?
#网络##检查4G网络步骤1.确认**4G天线是否安装正确**2.确认SIM卡状态是否正常3.输入`sudobusyboxmicrocom/dev/ttyUSB2`,输入`at`,如果返回值是`OK`代表模块识别正常4.输入`at+csq`查看信号强度,第一个值为99说明没有信号5.输入`at+qsimstat=1`,`at+qsimstat?`查看sim卡状态,第二位为`1`说明SIM已经准备完毕##4G模组重启```bashraspi-gpiose...
树莓派开发者 综合技术交流
年前好礼,晒晒富士通活动奖品万用表
昨天收到,感谢EEWORLD!也感谢富士通!年前还能收到这么好的礼物年前好礼,晒晒富士通活动奖品万用表时光行者发表于2014-2-1008:21额..还不错呀,但是为什么年终奖不给钱要发这个,。 那要问论坛了,哈哈...
眼大5子 综合技术交流
IAR编译优化等级介绍
IAR拥有灵活的优化等级设置,包括不同等级和不同层级的编译优化设置。本文将介绍IAR的编译优化等级设置,不同的编译优化等级设置涉及的编译器优化行为不同。不同优化等级适应不同的应用需求,MCU资源空间有限时可选择针对代码大小进行优化,对应用实时响应要求较高的情形则应选择针对代码运行速度进行优化。且需注意在项目调试过程中不应将优化等级设置的过高,因高度优化会导致调试过程需要的一些信息丢失。编译优化设置IAR的编译优化等级设置由Option-C...
MamoYU 综合技术交流
有源晶振输出驱动力
各位大神,请教个问题,目前项目中应用到一颗DSP对时钟要求是1.3V的,手头上有3.3V的晶振,采用输出分压的方式去实现1.3V,晶振是cmos输出,对于CMOS输出类型的规格书里只写了能带15pf容性负载,没有具体的驱动电流或阻性负载,我应该如何去判断这颗晶振能否带动外部的分压电阻呢?有源晶振输出驱动力不宜分压,应该用有源电路做电平转换。根据频率和15pF电容量,你不能计算电流?chunyang说得对,在晶体的工作频率上(通常总在数MHz以上),不宜采用电阻分压。maychan...
danielzhou 综合技术交流
这个控制板谁知道在哪里可以购买到
板子的国外网站·~http://www.schmalzhaus.com/EBB/index.html这个控制板谁知道在哪里可以购买到板子的网站~http://www.schmalzhaus.com/EBB/index.html...
ffy899 综合技术交流
文件放进ramdisk操作为什么更容易引起程序崩溃
电脑内存比较大,前两天在电脑上搞了个ramdisk,把文件放进ramdisk里面再用软件打开,打开、编辑、保存文件的速度快了很多,AD、Cadence、MenterEE都是这样,但是弊端也很明显,速度是快了,但是不知道为什么,软件编辑ramdisk的文件会很容易崩溃,而编辑普通硬盘里的文件倒是很稳定文件放进ramdisk操作为什么更容易引起程序崩溃不建议放RAMDISK里,因为断电即丢,还有就是操作速度太快,有时候多线程的软件还没反应过来,或者是有防破解,你的这些软件放固态里最好。速...
Nubility 综合技术交流