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BZT52C2V7

精度:- 稳压值(典型值):2.7V 反向漏电流:20uA @ 1V 最大功率:350mW

器件类别:分立半导体    稳压二极管   

厂商名称:合科泰(Hottech)

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BZT52C2V7 在线购买

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器件:BZT52C2V7

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器件参数
参数名称
属性值
稳压值(典型值)
2.7V
反向漏电流
20uA @ 1V
最大功率
350mW
文档预览
BZT52C2V4 - 43
ZENER DIODES
FEATURES
Planar Die Construction
350mW Power Dissipation on Ceramic PCB
eneral Purpose, Medium Current
Ideally Suited for Automated Assembly Processes
MECHANICAL DATA
Case: SOD-123 Molded Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,Method 208
Polarity: Cathode Band
Weight: 0.01 grams (approx.)
SOD-123
10
Cathode
MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Forward Voltage (Note 2) @ IF = 10mA
Power Dissipation(Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air
Junction Temperature
Operating and Storage T
emperature Range
Symbol
V
F
P
D
R
θJ
TJ
Value
0.9
350
357
1 50
-65~ +150
Unit
V
mW
°C /W
°C
°C
T
j ,T S T
Notes: 1. Device mounted on ceramic PCB: 7.6mm x 9.4mm x 0.87mm with pad areas 25mm
2
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect
3. f=1K
HZ
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD
E-mail:hkt@heketai.com
1
/
5
BZT52C2V4 - 43
ZENER DIODES
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25°C unless otherwise specified
Maximum
Type
Number
V
Z
@I
ZT
I
ZT
Maximum
Reverse
Current
(Note 2)
I
R
V
R
Typical
Coefficent
@I
ZTC
mV/°C
T
est
I
ZTC
Zener Voltage Range (Note 2)
Zener Impedance
(Note 3)
Z
ZT
@I
ZT
Z
ZK
@I
ZK
I
ZK
Temperature Current
Nom(V) Min(V) Max(V)
BZT52C2V4
BZT52C2V7
BZT52C3V0
BZT52C3V3
BZT52C3V6
BZT52C3V9
BZT52C4V3
BZT52C4V7
BZT52C5V1
BZT52C5V6
BZT52C6V2
BZT52C6V8
BZT52C7V5
BZT52C8V2
BZT52C9V1
BZT52C10
BZT52C11
BZT52C12
BZT52C13
BZT52C15
BZT52C16
BZT52C18
BZT52C20
BZT52C22
BZT52C24
BZT52C27
BZT52C30
BZT52C33
BZT52C36
BZT52C39
BZT52C43
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
2.20
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
40.0
2.60
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
46.0
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
5
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
100
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
700
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
uA
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
32
Min
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-2.7
-2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
Max
0
0
0
0
0
0
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13.0
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
5
10.4 14.0
12.4 16.0
14.4 18.0
16.4 20.0
18.4 22.0
21.4 25.3
24.4 29.4
27.4 33.4
30.4 37.4
33.4 41.2
10.0 12.0
Notes: 1. Device mounted on ceramic PCB: 7.6mm x 9.4mm x 0.87mm with pad areas 25mm2
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect
3. f=1KHZ
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD
E-mail:hkt@heketai.com
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5
BZT52C2V4 - 43
ZENER DIODES
Typical Characteristics
0.6
50
T
j
= 25°C
C2V7
C3V9
C5V6
C6V8
C6V2
C8V2
0.5
C3V3
0.4
I
Z
, ZENER CURRENT (mA)
40
C4V7
P
D
, POWER DISSIPATION (W)
30
0.3
20
0.2
0.1
10
Test Current I
Z
5.0mA
0
0
0
25
50
75
100
125
150
0
1
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
Fig. 1 Power Dissipation vs Ambient Temperature
3
4
5
6
8
9
7
V
Z
, ZENER VOLTAGE (V)
Fig. 2 Zener Breakdown Characteristics
2
10
30
T
j
= 25°C
C10
C12
10
T
j
= 25°C
C39
I
Z
, ZENER CURRENT (mA)
20
C15
I
Z
, ZENER CURRENT (mA)
8
6
C18
Test current I
Z
2mA
C27
C33
C36
10
C22
Test current I
Z
5mA
4
Test Current I
Z
2mA
2
0
0
10
20
30
V
Z
, ZENER VOLTAGE (V)
Fig. 3 Zener Breakdown Characteristics
40
0
10
30 40 50 60 70 80 90
V
Z
, ZENER VOLTAGE (V)
Fig. 4 Zener Breakdown Characteristics
20
100
1000
T
j
= 25 °C
f = 1MHz
C
T
, TOTAL CAPACITANCE (pF)
V
R
= 1V
V
R
= 2V
100
V
R
= 1V
V
R
= 2V
10
1
10
100
V
Z
, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Fig. 5 Total Capacitance vs Nominal Zener Voltage
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BZT52C2V4 - 43
ZENER DIODES
SOD-123
Package Outline Dimensions
Symbol
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
L
L1
θ
Dimensions In Millimeters
Min.
1.050
0.000
1.050
0.450
0.080
1.500
2.600
3.550
0.500 RE F
0.250
0.450
Max.
1.250
0.100
1.150
0.650
0.150
1.700
2.800
3.850
Dimensions In Inches
Min.
0.041
0.000
0.041
0.018
0.003
0.059
0.102
0.140
0.020 RE F
0.010
0.018
Max.
0.049
0.004
0.045
0.026
0.006
0.067
0.110
0.152
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5
BZT52C2V4 - 43
ZENER DIODES
SOD-123
Embossed Carrier Tape
DIMENSIONS ARE IN MILLIMETER
TYPE
SOD-123
TOLERANCE
A
1.85
±0.05
B
3.94
±0.05
C
1.57
±0.05
d
φ1.55
±0.1
E
1.75
±0.1
F
3.50
±0.1
P0
4.00
±0.1
P
4.00
±0.1
P1
2.00
±0.1
W
8.00
+0.3\-0.1
SOD-123
Tape Leader and Traller
SOD-123
Reel
DIMENSIONS ARE IN MILLIMETER
REEL OPTION
7’’ DIA
TOLERANCE
D
φ178.00
±2
D1
54.40
±1
D2
13.00
±1
G
R78.00
±1
H
R25.60
±1
I
R6.50
±1
W1
9.50
±1
W2
12.30
±1
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