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BZX584C3V9

齐纳二极管

器件类别:分立半导体   

厂商名称:长电科技(JCET)

厂商官网:http://www.cj-elec.com/

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-523 Plastic-Encapsulate Diode
BZX584C2V4-BZX584C39
FEATURES
• Planar Die Construction
100mW Power Dissipation
Zener Voltages from 2.4 – 39V
SOD-523
ZENER DIODE
Maximum Ratings(T
a
=25℃ unless otherwise specified)
Characteristic
Forward Voltage
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air
Operating and Storage Temperature Range
@I
F
=10mA
Symbol
V
F
P
D
R
θ
JA
T
j
,T
STG
Value
0.9
150
625
-65
~
+150
Unit
V
mW
℃/w
A,Jun,2011
Electrical Characteristics
( 25
unless otherwise specitied )
Maximum
Reverse
Current
I
R
(uA)
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
Min
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-2.7
-2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
Typical temperature
coefficient
@ I
ZT
mV/°C
Max
0
0
0
0
0
0
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13.0
14.0
16.0
18.0
20.0
22.0
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
Type
Number
Type
Code
Zener Voltage Range (Note 2)
Maximum Zener Impedance
(Note 3)
I
ZT
Z
ZT
@I
ZT
(Ω)
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
Z
ZK
@I
ZK
(mA)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
V
Z
@I
ZT
Nom(V)
Min(V)
2.20
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
Max(V)
2.60
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
(mA)
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
BZX584C2V4
BZX584C2V7
BZX584C3V0
BZX584C3V3
BZX584C3V6
BZX584C3V9
BZX584C4V3
BZX584C4V7
BZX584C5V1
BZX584C5V6
BZX584C6V2
BZX584C6V8
BZX584C7V5
BZX584C8V2
BZX584C9V1
BZX584C10
BZX584C11
BZX584C12
BZX584C13
BZX584C15
BZX584C16
BZX584C18
BZX584C20
BZX584C22
BZX584C24
BZX584C27
BZX584C30
BZX584C33
BZX584C36
BZX584C39
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
Notes: 1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.
2.Tested with pulses, period=5ms,pulse width =300us.
3.f = 1KH
Z
A,Jun,2011
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