2017.2.16
更新
深圳市宇阳科技发展有限公司
EYANG TECHNOLOGY DEVELOPMENT CO.,LTD
片式超微型多层陶瓷电容器系列
产品规格书
地址：深圳市南山区高新技术产业园北区科技北二路½民道
3
号宇阳大厦
ADD：EYANG Building, 3 Qimin Street, No.2 North Technology Road, North Area,
High-Tech Industrial Park, Nanshan District, Shenzhen, Guangdong, P.R.C
Postcode:518057
TEL：86-0755-86252188
FAX：86-0755-86278303
Mark：产品规格书仅供参考，具½电容选型请联系我司销售工程师或技术服务工程师进行询问。
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1．范围：
此规格书适用于下面列出的所有系列的片式多层陶瓷电容器（英文缩写
MLCC）
：
介质特性组别：C0G、X7R、X5R、X5S、Y5V；
产品尺寸规格：01005、0201；
标称电容量范围：0.2pF~4.7μF
2．产品的½名规则：
C 0201 X5R 103 K 250 N T A
产品代码
表示片式
多层陶瓷
电 容 器
MLCC
尺寸规格代
码
（EIA 规格）
0105(01005)
0201(0201)
温度系数或特
性代码
C0G、X7R
X5R、X5S
Y5V
标称电容量
代码
例：
103=10nF
474=470nF
端电极类型
N：Cu/Ni/Sn
三
层结构；
C：表示铜端头
包装代码
具½包装代码
见表
4
额定电压
6R3=6.3V；100=10V
160=16V
；250=25V
500=50V
产品厚度代
码
具½厚度代
码见表
1
标称电容量的允许偏差
A： 0.05pF B： 0.1pF C： 0.25 pF D： 0.5pF
±
±
±
±
F：±
1%
G：±
2%
J：±
5%
K：±
10%
L：±
15%
M：±
20% Z：+80/-20%
N: ±
30%
X：±
40%
Y: +150/-20%
L
1
L
2
W
T
L
图
1
产品外½示意图
表
1
尺寸规格
(EIA)
01005
0.40±
0.02
0.60±
0.03
0201
0.60
+0.05-0.03
0.60
+0.1-0.03
长度（L）
MLCC
的尺寸规格
(单½: mm)
½度（W）
0.20±
0.02
0.30±
0.03
0.30
+0.05-0.03
0.30
+0.1-0.03
端头½度
（L1、L2）
0.07½0.13
0.1½0.2
0.1½0.2
0.1½0.2
厚度（T）
0.20±
0.02
0.30±
0.03
0.3
+0.05-0.03
0.3
+0.1-0.03
厚度代码
Z
A
J
X
1
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表
2
介质特性组别
NP0
X7R
X5R
X5S
Y5V
表
3
尺寸 额定电压
/U
R
规格
25V
16V
01005
10V
6.3V
4V
50V
25V
16V
C0G
0.2pF~100pF
0.2pF~100pF
0.2pF~100pF
0.2pF~100pF
—
0.3pF~220pF
0.3pF~470pF
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4V
—
—
产品的介质特性组别
温度系数或温度特性
C0G：0±
30ppm/℃
工½温度范围
-55℃½+125℃
C0H：0±60ppm/℃
-55℃½+125℃
-55℃½+85℃
-55℃½+85℃
-30℃½+85℃
容量范围与厚度代码对照表
标称电容量范围
X5R
—
1.2nF~5.6nF
1.2nF~10nF
6.8nF~100nF
12nF~100nF
100pF~1.8nF
100pF~100nF
100nF
3.3nF~150nF
180nF~470nF
3.3nF~120nF
150nF~330nF
390nF~2.2μF
15nF~220nF
150nF~680nF
680nF~4.7μF
470nF~680nF
680nF~4.7μF
X5S
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100nF
220nF
470nF~1.0μF
100nF
220nF~470nF
680nF~1.0μF/2.2μF
/4.7μF
—
—
Y5V
—
—
—
—
—
100pF~1.5nF
1.0nF~100nF
100nF
3.3nF~100nF
220nF~470nF
3.3nF~100nF
220nF~330nF
470nF~1.0μF
100nF
220nF~680nF
680nF~4.7μF
470nF~680nF
680nF~4.7μF
厚度代码
Z
Z
Z
Z
Z
A
A
J
A
J
A
J
X
A
J
X
J
X
±
15%
±
15%
±
22%
+22%½-82%
0201
10V
X7R
100pF~1.0nF
100pF~1.0nF
100pF~1.0nF
100pF~1.0nF
—
100pF~1.8nF
100pF~10nF
—
1.0nF~10nF
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.3V
注：1）X7R、X5R 、X5S 组别采用
E12
系列，Y5V 组别采用
E6
系列，C0G 组别采用
E24
系列，10pF 以
下规格允许½用整数标称值，如：1.0、2.0、3.0pF 等。
2）对于同尺寸、材质、容量的产品，额定电压可以由高往½覆盖。
包装类型：带式包装（标准½½带圆盘包装）
，单盘最小包装数见表
4。
表
4
产品尺寸规格
产品包装代码
圆盘尺寸
½½带种类
包装数(Kpcs)
T
7〃
纸带
20
01005
P
7〃
塑带
40
H
7〃
纸带
10
包装类型
0201
T
7〃
纸带
15
J
13〃
纸带
50
第一次包装：每多盘物料装入包装盒。
第二次包装：将第一次包装½的包装盒装入纸质包装箱，箱内剩½空隙部½用½质辅材填满。以上包
装½式亦可根据用户需要包装。
2
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3.
技术规格和试验方法：
3.1
外观：
3.1.1
要求:
瓷½和端电极无明显伤痕。
3.1.2
试验方法:
在
10
倍显微镜下目测。
3.2
尺寸规格：
3.2.1
要求:
产品的外½和尺寸应符合图
1
及表
1
的要求。
3.2.2
试验方法：
½用精度不½于
0.01 mm
的量具测量。
3.3
工½环境：
C0G/C0H(NP0)、X7R
X5R、X5S
Y5V
温度:
-55℃~+125℃；
相对湿度:
≤95%
（25℃） 大气压:
86KPa
~
106KPa
温度:
-55℃~+85℃；相对湿度: ≤95%（25℃）
大气压:
86KPa
~
106KPa
温度:
-30℃~+85℃；相对湿度: ≤95%（25℃）
大气压:
86KPa
~
106KPa
3.4
产品的电性½指标和试验条件：
表
5
条款
1
项目
电容量
（C）
电性½指标和试验条件
指标
试验条件
温度:
18½28℃；
相对湿度:
≤RH 80%；
测试频率：
C0G：
C≤1000pF，f=1MHz±
10%；
X7R、 X5R、 X5S、Y5V：
C≤100pF， f=1MHz±
10%；
C>100pF， f=1KHz±
10%
测试电压:
1.0±
0.2Vrms
符合标称电容量及其允许偏差范围
C0G/C0H(NP0)
：C≥30pF，tgδ≤10×10
-4
；
C<30pF， tgδ≤1.0×(90/C+7)×10
-4
X7R:
U
R
=50V tgδ≤500×10
-4
；U
R
=25V tgδ≤500×10
-4
U
R
=16V tgδ≤500×10
-4
；U
R
=10V tgδ≤500×10
-4
X5R、X5S、Y5V:
U
R
=50V tgδ≤1000×
-4
10
U
R
=25V
U
R
=16V
U
R
≤10V
tgδ≤1250×10
-4
tgδ≤1250×10
-4
tgδ≤1500×10
-4
2
损耗角
正切值
（tgδ）
C0G/C0H(NP0):
Ri≥10000MΩ
3
绝缘电阻
（Ri）
X7R、X5R、X5S、Y5V：
Ri≥4000MΩ (C≤25nF)
Ri×C≥100s (C>25nF)
无击穿或飞弧
温度:
18½28℃；
相对湿度:
≤RH 80%；
½加额定电压
60±
秒
5
C0G/C0H(NP0):
3×
R
U
X7R、
X5R、
X5S、
Y5V:
2.5×
R
U
t=1
分钟
充、放电电流不超过
50mA
4
耐电压
（WV）
注：2 类陶瓷电容器（X7R、X5R、X5S、Y5V）电容量测试说明
½测试电容器的初始电容量½于其允许偏差值时，需对测试样品进行150℃±
10℃热处理60±
分钟，然后在
5
室温条件下放½24± 小时，即去老化后再测试其电容量。
2
3
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3.5
产品的技术要求和试验方法：
表
6
中“试验方法”，未做具½说明时，为依据
GB/T 21041/21042 IDT IEC60384-21/22
进行。
条款
项目
表
6
产品的技术要求和试验方法
技术要求
试验方法
NP0(C0G)：α
c
≤ ±30ppm/℃ (125℃)；
-72≤α
c
≤+30ppm/℃ ( -55℃)；
预 先 干 燥 ：
16
½
24
小 时
NP0(C0H)：α
c
≤ ±60ppm/℃ (125℃)；
C0G/C0H(NP0)， 25℃、
在
-55℃、
125℃
-72≤α
c
≤+30ppm/℃ ( -55℃)；
下测量电容量，符合相应的温度系数
(10pF
以下不测该项，由介质材料特性保
α
c
；
证。)
或
150℃、1
小时专门预处理后放½
24
小
X7R、X5R：∆C/C
≤ ±15%
时（X7R、X5R、X5S、Y5V）
，分别在
θ
1
、
25℃、θ
2
下测量电容量，符合相应的电容
X5S：∆C/C
≤ ±22%
量变化特性。
X5R、X5S：θ
1
=-55℃，θ2=85℃
X7R：θ
1
=-55℃，θ
2
=125℃
Y5V：θ
1
=-30℃，θ2=85℃
测试电压：
封装
介质特性
C0G/X7R
容量范围
所有容量段
C＞22nF
22nF≥C≥4.7nF
C＜4.7nF
所有容量段
C＜10nF
10nF
100pF＜C≤10
μF
且
Ur≤6.3V
100pF＜C≤10
μF
且
Ur＞6.3V
所有容量段
测试电压
1.0±
0.2Vrms
0.2±
0.03Vrms
0.5±
0.1Vrms
1.0±
0.2Vrms
1.0±
0.2Vrms
1.0±
0.2Vrms
0.5±
0.1Vrms
0.5±
0.1Vrms
1.0±
0.2Vrms
1.0±
0.2Vrms
1
电容量温度
系数或温度
特性
Y5V：-82%≤∆C/C≤+22%
01005
X5R
C0G
X7R
0201
X5R
X5S/Y5V
外观：无可见损伤，端面镀层的熔蚀（浸
析）应不超过有关棱边长度的
25%
2
耐焊接热
150℃、1
小时专门预处理（X7R、X5R、
X5S、Y5V）后放½ 24±
小时；
1
将测试电容在
110½140℃预热 30½60
秒，
容量变化：
浸入
260±
5℃的锡½中 10±
秒，
1
浸入深度
C0G/C0H(NP0)：
10mm
； 然 后 在 室 温 放 ½
6
½
24
小 时
∆C/C ≤ ±2.5%
或
±
0.25pF,
取较大者；
[C0G/C0H(NP0)]或 24±
小时
2
（X7R、
X5R、
X7R、 X5R、X5S、Y5V：∆C/C≤±15%。
X5S、Y5V）后进行外观检查与电性½测
试。
tgδ
和
Ri:
满足表
5
初始指标。
3
可焊性
上锡良½，端头润湿率大于
75%。
将测试电容浸入含松香的乙醇溶液
3-5
秒，
在
80½140℃预热 30½60
秒，
浸入
235±
5℃
的熔融锡液
2.0±
秒，浸入深度
10mm。
0.2
4
电子工程世界
微控制器 MCU
