深圳市晶导电子有限公司
Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
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：
0755-29799516
FAX
：
0755-29799515
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CM2D5N50
N
沟道
VDMOS
*
主要用途：
主要用途：
◆
主要用于电源适配器、线性放大和功率开关电路
*
主要特点：
主要特点：
◆
◆
通态电阻小
,
输入电容小
开关速度快
雪崩½量测试
◆
100%
*
注意：
注意：
◆
防静电
G.
栅极
D.
漏极
S.
源极
极限值：
极限值：
( Tc=25
℃
)
参
连续漏极电流
栅源电压
雪崩电流
热阻（结到壳）
耗散功率
结温
贮存温度
数
名
称
符 号
I
D
V
GS
I
AR
R
θJC
Ptot
Tjm
Tstg
额定值
2.5
±30
2.5
2.5
50
150
－
55
½
150
单 ½
A
V
A
℃
/W
W
℃
℃
电特性：
电特性：
( Tc=25
℃
)
参数名称
漏源反向电压
通态电阻
阈值电压
跨导
漏源漏电流
栅源漏电流
关断延迟时间
符号
V
DS
R
DSON
V
GS
（
TH
）
g
FS
I
DSS
I
GSS
td (off)
测试条件
V
GS
=0V
，
I
D
=250uA
V
GS
=10V
，
I
D
=1.5A
V
DS
=V
GS
，
I
D
=250uA
V
DS
=50V
，
I
D
=0.5A
V
DS
=600V
，
V
GS
=0V
V
GS
= ± 30V
V
DD
=250V
，
I
D
=2.1A
R
G
=18Ω
，
R
D
=100Ω
V
GS
=0V
，
V
DS
=25V
f=1.0MHZ
最小值
500
典型值
最大值
单½
V
3.0
2
1.4
25
±100
33
4
Ω
V
S
uA
nA
nS
输入电容
a
：脉冲测试 ：
t
P
≤
300us, δ
≤
2%
C
iSS
360
pF
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I
D
(A)
10
T=25
℃
10us
100us
Ptot
（
W
）
100
80
60
40
20
1
1ms
10ms
0.1
0.01
1
10
100
V
DS
(V)
安全工½区
I
D
(A)
10
125
℃
Vds=50V
0
0
50
100
功耗
-
温度
150
Tj
（℃）
Rdson
（
Ω
）
3.0
2.5
2.0
1.5
25
℃
1.0
0
-40
0
40
80
120
通态电阻
-
温度
Tj
（℃）
1
0.1
4
5
6
7
8
9
10
传输特性
V
GS
(V)
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封装½式：
封装½式：
TO-220A
(
单½：
mm
，无其他特别说明公差
±0.1mm)
单½：
，无其他特别说明公差
CM2D5N50
3/3
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电子工程世界
