深圳市晶导电子有限公司
Shenzhen Jingdao Electronic
Co.,Ltd.
TEL
：
0755-29799516
FAX
：
0755-29799515
Http://www.jdsemi.cn
CM2N60C
主要用途：
*
主要用途：
主要特点：
*
主要特点：
◆
通态电阻小
◆
开关速度快
◆
100%
N
沟道
VDMOS
◆
主要用于电源适配器、线性放大和功率开关电路
,
输入电容小
雪崩½量测试
注意：
*
注意：
◆
防静电
G.
栅极
D.
漏极
S.
源极
极限值：
极限值：
( Tc=25
℃
)
参
连续漏极电流
栅源电压
雪崩电流
热阻（结到壳）
耗散功率
结温
贮存温度
数
名
称
符 号
I
D
V
GS
I
AR
R
θJC
Ptot
Tjm
Tstg
额定值
2.0
±30
2.2
2.5
48
150
－
55
½
150
单 ½
A
V
A
℃
/W
W
℃
℃
电特性：
电特性：
( Tc=25
℃
)
参数名称
漏源反向电压
通态电阻
阈值电压
跨导
漏源漏电流
栅源漏电流
关断延迟时间
符号
V
DS
R
DSON
V
GS
（
TH
）
g
FS
I
DSS
I
GSS
td (off)
测试条件
V
GS
=0V
，
I
D
=250uA
V
GS
=10V
，
I
D
=1.2A
V
DS
=V
GS
，
I
D
=250uA
V
DS
=50V
，
I
D
=1.0A
V
DS
=600V
，
V
GS
=0V
V
GS
= ±30V
V
DD
=300V
，
I
D
=2.0A
R
G
=18
，
R
D
=150
最小值 典型值 最大值
600
4.4
2
1.4
25
±100
30
4
单½
V
V
S
uA
nA
nS
输入电容
C
iSS
V
GS
=0V
，
V
DS
=25V
f=1.0MHZ
350
pF
a
：脉冲测试 ：
t
P
≤
300us,
δ
≤
2%
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I
D
(A)
Ptot
（
W
）
50
T=25
℃
40
10us
100us
1ms
10ms
30
20
10
10
1
0.1
1
10
100
安全工½区
V
DS
(V)
0
0
50
100
功耗
-
温度
150
Tj
（℃）
I
D
(A)
Rdson
（ ）
10
125
℃
Vds=50V
6
5
1
4
25
℃
0.1
4
5
6
7
8
传输特性
9
10
V
GS
(V)
Tj
（℃）
-50
0
50
100
通态电阻
-
温度
150
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封装½式：
封装½式：
TO-251
(
单½：
mm
，无其他特别说明公差
±0.1mm)
单½：
，无其他特别说明公差
CM2N60C
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电子工程世界
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