深圳市晶导电子有限公司
Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
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0755-29799516
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：
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CM4N60F
*
主要用途 ：
*
主要特点：
主要特点：
◆
◆
N
沟道
VDMOS
◆
主要用于电源适配器、线性放大和功率开关电路
通态电阻小
,
输入电容小
开关速度快
雪崩½量测试
◆
100%
*
注意：
注意：
◆
防静电
G.
栅极
D.
漏极
S.
源极
极限值：
极限值：
( Tc=25
℃
)
参
连续漏极电流
栅源电压
雪崩电流
热阻（结到壳）
耗散功率
结温
贮存温度
数
名
称
符 号
I
D
V
GS
I
AR
R
θJC
Ptot
Tjm
Tstg
额定值
4.0
±30
4.0
1.25
36
150
－
55
½
150
单 ½
A
V
A
℃
/W
W
℃
℃
电特性：
电特性：
( Tc=25
℃
)
参数名称
漏源反向电压
通态电阻
阈值电压
跨导
漏源漏电流
栅源漏电流
关断延迟时间
符号
V
DS
R
DSON
V
GS
（
TH
）
g
FS
I
DSS
I
GSS
td (off)
测试条件
V
GS
=0V
，
I
D
=250uA
V
GS
=10V
，
I
D
=2.5A
V
DS
=V
GS
，
I
D
=250uA
V
DS
=50V
，
I
D
=2.5A
V
DS
=600V
，
V
GS
=0V
V
GS
= ±30V
V
DD
=300V
，
I
D
=4.0A
R
G
=12Ω,V
GS
=10V
V
GS
=0V
，
V
DS
=25V
f=1.0MHZ
最小值 典型值 最大值
600
2.2
2
2.5
25
±100
44
4
单½
V
Ω
V
S
uA
nA
nS
输入电容
C
iSS
660
pF
a
：脉冲测试：
t
P
≤
300us, δ
≤
2%
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封装½式：
封装½式：
TO-220F
(
单½：
mm
，无其他特别说明公差
±0.1mm)
单½：
，无其他特别说明公差
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mm
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，无其他特别说明公差
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