深圳市晶导电子有限公司
Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
TEL
:
0755-29799516
FAX
:
0755-29799515
Http://www.jdsemi.cn
CM4N65F
*
主要用途 :
主要特点:
*
主要特点:
◆
N
沟道
VDMOS
◆
主要用于电源适配器、线性放大和功率开关电路
通态电阻小
,
输入电容小
◆
开关速度快
◆
100%
雪崩½量测试
注意:
注意
*注意
:
◆
防静电
G.
栅极
D.
漏极
S.
源极
极限值:
极限值:
( Tc=25
℃
)
参
连续漏极电流
栅源电压
雪崩电流
热阻(结到壳)
耗散功率
结温
贮存温度
数
名
称
符 号
I
D
V
GS
I
AR
R
θJC
Ptot
Tjm
Tstg
额定值
4.0
±30
4.0
3.47
36
150
-
55
½
150
单 ½
A
V
A
℃
/W
W
℃
℃
电特性:
电特性:
( Tc=25
℃
)
参数名称
漏源反向电压
通态电阻
阈值电压
漏源漏电流
栅源漏电流
关断延迟时间
符号
V
DS
R
DSON
V
GS
(
TH
)
I
DSS
I
GSS
td (off)
测试条件
V
GS
=0V
,
I
D
=250uA
V
GS
=10V
,
I
D
=2.4A
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250uA
V
DS
=630V
,
V
GS
=0V
V
GS
= ±30V
V
DD
=300V
,
I
D
=4.0A
R
G
=12 ,V
GS
=10V
V
GS
=0V
,
V
DS
=25V
f=1.0MHZ
最小值 典型值 最大值
650
2.6
2
4
25
±100
44
单½
V
V
uA
nA
nS
输入电容
C
iSS
660
pF
a
:脉冲测试:
t
P
≤
300us,
δ
≤
2%
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安全工½区
100.0
T
j=
MAXRAT ED
T
c=
25
℃
P
D
Ptot-
-T
C
关系曲线
100
100
90
90
80
80
P
D
(W )
CM4N65F
2/3
I
D
(A)
10µs
100µs
10.0
70
70
60
60
1.0ms
1.0
DC
OPERAT ION IN T HIS
AREA MAY BE LIMT T ED
BY R
DS
(ON)
50
50
40
40
30
30
20
20
10
10
0
0
10ms
0.1
10
100
1000
V
DS
(V)
0
25
25
50
50
75
75
100
100
125
125
150
150
T
C
(℃)
T
C
(℃)
典型传输特性曲线
I
D
(A )
D
D
A)
I
I
(
( A )
典型输出特性曲线
10
9
8
7
6
5
5
PULSE DURAT ION=250µs
DUT Y CYCLE=0.5%MAX
T
C
=25
℃
V
GS
=
6.5V
12
4.5
PULSE DURAT ION=250
μ
s
10
DUT Y CYCLE=0.5%MAX
3.5
V
DS
=10V
4.0
8
3.0
V
GS
=
6.0V
V
GS
=
5.5V
V
GS
=
5.25V
V
GS
=
5.0V
2.5
6
2.0
1.5
4
1.0
4
3
+150
℃
+25
℃
-55
℃
2
1
0
75
4.0
100
125
5.5
150
6.0 6.5
T
C
(℃)
V
GS
(V)
0
5
10
15
20
V
GS
=
4.5V
2
0.5
0
0
25
2.5 3.0
50
3.5
4.5
5.0
25
30
V
DS
(V)
R
DS(ON)
-Tj曲线
R
DS
( O N )
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-75
-50 -25
0
PULSE DURAT ION=250
μ
s
DUT Y CYCLE=0.5%MAX
V
GS
=10V
,
I
D
=4A
25
50
75
100
125 150
T
J
(℃)
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封装½式:
封装½式:
TO-220FH
(
单½:
mm
,无其他特别说明公差
±0.1mm)
单½:
,无其他特别说明公差
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