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DB203S

Bridge Rectifier Diode, 2A, 200V V(RRM),

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:扬杰科技(YANGJIE)

厂商官网:http://www.21yangjie.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
扬杰科技(YANGJIE)
Reach Compliance Code
compliant
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型
BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.1 V
最大非重复峰值正向电流
60 A
元件数量
4
最高工作温度
150 °C
最大输出电流
2 A
最大重复峰值反向电压
200 V
表面贴装
YES
文档预览
DB201S THRU DB207S
桥式整流器
Bridge Rectifier
■特征
Features
■外½尺寸和印记
DBS
Outline Dimensions and Mark
.013(0.33)
.0088(0.22)
.060(1.53)
.040(1.02)
.013(0.33)
.003(0.076)
I
o
2A
V
RRM
50V~1000V
玻璃钝化芯片
Glass passivated chip
耐正向浪涌电流½力高
High surge forward current capability
- +
.255(6.5) .404(10.3)
.245(6.2) .386(9.80)
Mounting Pad Layout
0.202
(5.12)
0.344
(8.73)
.083(2.10)
.071(1.80)
~ ~
.205(5.2)
.195(5.0)
.335(8.51)
.320(8.13)
■用途
Applications
½一般电源单相桥式整流用
General purpose 1 phase Bridge
rectifier applications
0.087
(2.22)
45°
.130(3.30)
.120(3.05)
0.047
(1.20)
.047(1.20)
.040(1.02)
Dimensions in inches and (millimeters)
■极限值(绝对最大额定值)
Limiting Values(Absolute Maximum Rating)
参数名称
Item
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Reverse
Voltage
平均整流输出电流
Average Rectified Output
Current
正向(不重复)浪涌电流
Surge(Non-
repetitive)Forward Current
正向浪涌电流的平方对电流
浪涌持续时间的积分值
Current Squared Time
存储温度
Storage Temperature
结温
Junction Temperature
符号 单½
Symbol Unit
V
RRM
V
条件
Conditions
DB2
01S 02S 03S 04S 05S 06S 07S
50
100 200 400 600 800 1000
I
O
A
60Hz正弦波,
电阻负½½,
安装在玻璃-环氧基板上
Ta=25℃
On glass-epoxi substrate
60Hz sine wave,
R-load ,Ta=25℃
60H
Z
正弦波,一个周期,T
j
=25℃
60H
Z
sine wave, 1 cycle, T
j
=25℃
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃,单个二极管
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃,Rating of per diode
2.0
I
FSM
A
60
2
It
2
AS
15
-55 ~+150
-55 ~+150
T
stg
T
j
■电特性 (T
a=25℃
除非另有规定)
Electrical Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
参数名称
Item
正向峰值电压
Peak Forward Voltage
反向峰值电流
Peak Reverse Current
热阻
Thermal Resistance
符号 单½
Symbol Unit
V
FM
I
RRM
R
θ
J-A
R
θ
J-L
V
测试条件
Test Condition
最大值
Max
1.1
10
68
15
I
FM
=2.0A,
脉冲测试,单个二极管的额定值
I
FM
=2.0A, Pulse measurement, Rating of per diode
V
RM
=V
RRM
,脉冲测试,单个二极管的额定值
μA
V
RM
=V
RRM
, Pulse measurement, Rating of per diode
结和环境之间,安装在玻璃-环氧基板上
Between junction and ambient, On glass-epoxi substrate
℃/W
结和引线之间
Between junction and lead
Document Number 0011
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 
www.21yangjie.com
DB201S THRU DB207S
■特性曲线(典型)
 
Characteristics(Typical)
1
Io-Ta
曲线
FIG1:Io-Ta Curve
IFSM(A)
Io(A)
图2:耐正向浪涌电流曲线
FIG2:Surge Forward Current Capadility
70
60
50
0
IFSM
8.3ms 8.3ms
1cycle
2.4
正弦波
sine wave
2.0
1.6
正弦波,电阻负½½,
空气中
sine wave R-load
free in air
40
30
不重复
non-repetitive
Tj=25
1.2
0.8
20
0.4
10
0
0
0
40
80
120
160
Ta(
)
1
2
5
10
20
50
100
Number of Cycles
IR(uA)
图3:正向电压曲线
FIG3: Forward Voltage
IF(A)
6
4
2
1
0.5
图4:反向电流曲线
FIG4:Typical Reverse Characteristics
100
Tj=150
10
1.0
Ta=25
0.1
0.05
0.02
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VF(V)
0.01
0
0.1
Tj=25
20
40
60
80
100
Voltage(%)
Document Number 0011
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 
www.21yangjie.com
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