首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

DL4735A

6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
零件包装代码
MELF
包装说明
O-LELF-R2
针数
2
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
JESD-30 代码
O-LELF-R2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
1 W
认证状态
Not Qualified
标称参考电压
6.2 V
表面贴装
YES
技术
ZENER
端子形式
WRAP AROUND
端子位置
END
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
最大电压容差
4.84%
文档预览
DATA SHEET
DL4728A~DL4764A
SURFACE MOUNT ZENER DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Low inductance
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.102(2.6)DIA.
3.3 to 100 Volts
POWER
1.0 Watts
MELF/DL-41
Unit : inch (mm)
MECHANICALDATA
• Case: Molded Glass MELF / DL-41
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.16 grams
• Mounting Position: Any
• Packing information
T/R - 5K per 13" paper Reel
.020(0.5)
.012(0.3)
.216(5.5)
.201(5.1)
.020(0.5)
.012(0.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Power Dissipation at Tamb = 25
Junction Temperature
Storage Temperature Range
O
Symbol
Value
1*
150
-65 to + 200
Units
W
O
C
P
TOT
T
J
T
STG
.110(2.8)
O
C
C
*Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
Parameter
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Forward Voltage at I
F
= 200mA
Symbol
Min.
--
--
Typ.
Max.
170*
1.2
Units
K/W
V
R
θ
JA
V
F
--
--
*Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
STAD-FEB.26.2007
PAGE . 1
M a x i m u m Ze n e r Vo l t a g e
Part Number
N o m. V
V
Z
@ I
ZT
Min . V
Ma x . V
M a x i m u m Ze n e r I m p e d a n c e
Z
ZT
@ I
ZT
mA
Z
ZK
@ I
ZK
mA
M a x i m u m L eakag e
Current
I
R
@ V
R
uA
V
1.0 w att Zener Diodes (Glass Sealed Envelope)
D L4728A
D L4729A
D L4730A
D L4731A
D L4732A
D L4733A
D L4734A
D L4735A
D L4736A
D L4737A
D L4738A
D L4739A
D L4740A
D L4741A
D L4742A
D L4743A
D L4744A
D L4745A
D L4746A
D L4747A
D L4748A
D L4749A
D L4750A
D L4751A
D L4752A
D L4753A
D L4754A
D L4755A
D L4756A
D L4757A
D L4758A
D L4759A
D L4760A
D L4761A
D L4762A
D L4763A
D L4764A
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
15.0
16.0
18.0
20.0
22.0
24.0
27.0
30.0
33.0
36.0
39.0
43.0
47.0
51.0
56.0
62.0
68.0
75.0
82.0
91.0
100.0
3.1
3.4
3.7
4.1
4.5
4.8
5.3
5.9
6.5
7.1
7.8
8.6
9.5
10.5
11.4
12.4
14.3
15.2
17.1
19.0
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.85
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
71.25
77.9
86.45
95.0
3.5
3.8
4.1
4.5
4.9
5.4
5.9
6.5
7.1
7.9
8.6
9.6
10.5
11.6
12.6
13.7
15.8
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
28.4
31.5
34.7
37.8
41.0
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
78.75
86.1
95.55
105.0
10.0
10.0
9.0
9.0
8.0
7.0
5.0
2.0
3.5
4.0
4.5
5.0
7.0
8.0
9.0
10.0
14.0
16.0
20.0
22.0
23.0
25.0
35.0
40.0
45.0
50.0
60.0
70.0
80.0
95.0
110.0
125.0
150.0
175.0
200.0
250.0
350.0
76.0
69.0
64.0
58.0
53.0
49.0
45.0
41.0
37.0
34.0
31.0
28.0
25.0
23.0
21.0
19.0
17.0
15.5
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
400
400
400
400
500
550
600
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
0.50
0.50
0.50
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
100
100
50
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
STAD-FEB.26.2007
PAGE . 2
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
POWER DISSIPATION, Watts
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
100
150
200
O
250
AMBIENT TEMPERATURE, C
FIG. 1 POWER DERATING CURVE
Vz (V)
Iz (mA)
100
80
60
40
20
0
5
10
15
20
25
30
4742
4744
4748
4747
4741
4749
4750
4735
4733
4732
4739
4731
4728
Fig.2 BREAKDOWN CHARACTERISTICS
STAD-FEB.26.2007
PAGE . 3
查看更多>
检测三相电问题
请问怎样检测三相电是否缺相、错相,并把结果送到单片机呢?检测三相电问题用AD采样后计算相角就知道不是错相了,你要做什么东西呢?基于单片机很简单,通过电压互感器检测即可,AD都可以不用,取出过零信号,用个晶体管即可实现,也可以用逻辑门,无所谓过零点的门限是否足够低,有脉冲输出就可以了,然后根据脉冲的有无和先后顺序即可知道是否缺相、错相。有专用芯片的!专用芯片不好买而且比较贵,楼主已经用MCU了,借助MCU实现其要求非常简单,附加成本也远远低于专用芯片。嗯,用普通IO口就可以完成。不...
火鸟 综合技术交流
单节电池充芯片TP4054如何与单节电量计芯片搭配使用,实现精准电量监测和可靠的充...
单节电池充芯片TP4054如何与单节电量计芯片搭配使用,实现精准电量监测和可靠的充电,一般电量计是不带充电功能的单节电池充芯片TP4054如何与单节电量计芯片搭配使用,实现精准电量监测和可靠的充...TP4054的BAT通过采样电阻连接到检测电路,最好使用双向电流检测的芯片,可以检测充电和放电 有道理电量计本身就是检测一下流过的电流大小时长,换算容量 放电不会经过充电IC啊。。。 充电的时候只会BAT-流向GND,放电只会GND流向BAT-,你们说的双向...
QWE4562009 综合技术交流
在PCB铜箔上堆锡能增加多少载流
如果所示,像下面这种在铜箔上开窗、堆锡膏的方式能增加多少载流?效果怎么样?在PCB铜箔上堆锡能增加多少载流目测20A以上增加10倍没问题想把铜箔整多大厚度,整太厚了发热严重,太厚不一定均匀,造成电阻增大 载流能力提升有限:堆锡对铜箔载流能力的直接提升非常有限。 改善长期稳定性:堆锡层可以提供一定的保护,减少铜箔的氧化和腐蚀,从而延长电路板的使用寿命。同样面积的铜箔载流的3-5倍没有问题,短时间能更大。建议虚线的空隙不要对齐,否则热...
Nubility 综合技术交流
想做个电路计算的程序,大伙觉得怎样?
目的:把一些基本的、基础的电路放上去,介绍一些最基本的计算方法。这个工作量非常大,需要一点一点地做。想做个电路计算的程序,大伙觉得怎样?大致的形式如附件顶~多给出电路异常原因更好了~很牛X啊,表示支持!zqjqq88发表于2015-1-2215:06顶~多给出电路异常原因更好了~ 那不成了维修工了?dontium发表于2015-1-2215:25那不成了维修工了? 呵呵,常见的异常有个简单的分析最好了~好想...
dontium 综合技术交流
体验AD PCB走线倒角功能
在高速PCB里面,越是高速高频的信号就越对走线方式有更高的要求,有时45度走线已经不能满足要求,这个时候就要弧形走线。但是大家还是习惯使用45度拐角走线,这个就有必要在走线完成之后实现走线的倒角了功能演示:体验ADPCB走线倒角功能倒角可通过在转折处施加过渡曲线,减少信号的反射和辐射,并降低信号的损耗和串扰。这样有助于提高高频信号的传输质量和可靠性。...
Nubility 综合技术交流
VESA和计算机显示监视器计时(DMT)行业标准和指南
在客道巴巴找到了一个文档VESA和计算机显示监视器计时(DMT)行业标准和指南vesa官网怎么找不到这个文档?客道巴巴下载收1000积分VESA和计算机显示监视器计时(DMT)行业标准和指南我的理解,DMT应该归于ITU,Vesa在模拟时代是老大,但数字时代越来越衰落。ITU有很多关于显示器时间,格式的标准,你如提出你关心的,我可能能告述你ITU的文号,例如601。5是显示4:316:9的一些细节。不过我不能给你文件,那是会有麻烦的。...
1nnocent 综合技术交流