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DTC114ESA

DIGITAL TRANSISTOR (NPN)数字晶体管(NPN)

器件类别:分立半导体   

厂商名称:长电科技(JCET)

厂商官网:http://www.cj-elec.com/

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器件:DTC114ESA

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
Digital transistors (built-in resistors)
DTC114EM/DTC114EE/DTC114EUA
DTC114EKA /DTC114ECA /DTC114ESA
DIGITAL TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
1. Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without
connecting external input resistors(see equivalent circuit)
2. The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow
negative biasing of the input.They also have the advantage of almost
completely eliminating parasitic effects
3. Only the on/off conditions need to be set for operation, making device design
easy
PIN CONNENCTIONS AND MARKING
DTC114EE
DTC114EUA
SOT-523
Addreviated symbol: 24
Addreviated symbol: 24
SOT-323
Addreviated symbol: 24
DTC114EKA
DTC114ECA
DTA114ECA
SOT-23
SOT-23-3L
Addreviated symbol: 24
SOT-23
Addreviated symbol: 24
DTC114ESA
DTC114EM
SOT-723
TO-92S
Addreviated symbol: 24
B,Jul,2011
Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
Parameter
Supply voltage
Input voltage
Output current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Parameter
Input voltage
Output voltage
Input current
Output current
DC current gain
Input resistance
Resistance ratio
Transition frequency
Symbol
V
CC
V
IN
I
O
I
C(MAX)
P
d
T
j
T
stg
Symbol
V
I(off)
V
I(on)
V
O(on)
I
I
I
O(off)
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
30
7
0.8
10
1
250
13
1.2
MHz
V
O
=10V ,I
O
=5mA,f=100MHz
KΩ
Min
0.5
3
0.3
0.88
0.5
Typ
100
150
150
-55~150
Max
V
V
mA
µA
Unit
Conditions
V
CC
=5V ,I
O
=100µA
V
O
=0.3V ,I
O
=10 mA
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V, V
I
=0
V
O
=5V ,I
O
=5mA
Limits (DTC114E□)
M
E
UA
50
-10~40
50
100
200
300
KA
CA
SA
Unit
V
V
mA
mW
Electrical characteristics (Ta=25℃)
B,Jul,2011
Typical Characteristics
100
DTC114ECA
OFF Characteristics
V
CC
=5V
T
a
=100
25
ON Characteristics
V
O
=0.3V
10
30
3
(mA)
T
a
=25
OUTPUT CURRENT
I
O
100
(V)
10
1
V
I(ON)
INPUT VOLTAGE
3
0.3
1
0.1
0.3
0.03
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0.01
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
OUTPUT CURRENT
I
O
(mA)
INPUT VOLTAGE
V
I(OFF)
(V)
1
V
O(ON)
——
I
O
I
O
/I
I
=20
1000
G
I
——
I
O
V
O
=5V
300
T
a
=100
25
(V)
0.3
V
O(ON)
T
a
=100
0.1
OUTPUT VOLTAGE
DC CURRENT GAIN
25
G
I
100
30
10
0.03
3
0.01
1
3
10
30
100
1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
OUTPUT CURRENT
I
O
(mA)
OUTPUT CURRENT
I
O
(mA)
10
C
O
——
V
R
f=1MHz
T
a
=25
400
P
D
——
T
a
350
8
(pF)
C
O
(mW)
300
DTC114ESA
OUTPUT CAPACITANCE
6
POWER DISSIPATION
P
D
250
200
DTC114EUA/KA/CA
DTC114EE
DTC114EM
4
150
100
2
50
0
0
4
8
12
16
20
0
0
25
50
75
100
125
150
REVERSE BIAS VOLTAGE
V
R
(V)
AMBIENT TEMPERATURE
T
a
(
)
B,Jul,2011
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