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ER1000F

10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
零件包装代码
TO-220AC
包装说明
ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AC, 2 PIN
针数
3
Reach Compliance Code
_compli
其他特性
LOW POWER LOSS
应用
EFFICIENCY
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
0.95 V
JEDEC-95代码
TO-220AC
JESD-30 代码
R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流
150 A
元件数量
1
相数
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
10 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压
50 V
最大反向恢复时间
0.035 µs
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
ER1000F~ER1006F
ISOLATION SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forwrd voltge, high current capability
• High surge capacity.
• Super fast recovery times, high voltage.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
50 to 600 Volts
CURRENT
10 Amperes
MECHANICALDATA
• Case: ITO-220AC Molded plastic
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.05 ounces, 1.56grams.
.177(4.5)
.137(3.5)
.027(.67)
.022(.57)
MAXIMUM RATING AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a x i m u m A v e r a g e F o r w a r d C u r r e n t a t Tc = 1 0 0
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt , 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 1 0 A , p e r e l e m e nt
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt a t T
J
= 2 5
O
C
R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g e T
J
= 1 0 0
O
C
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e ( N o t e 2 )
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 1 )
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
E R 1 0 0 0 F E R 1 0 0 1 F E R 1 0 0 1 A F E R 1 0 0 2 F E R 1 0 0 3 F E R 1 0 0 4 F E R 1 0 0 6 F
U N I T S
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
J C
T
J
, T
S TG
35
62
O
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
1 0 .0
150
300
210
300
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
A
0 .9 5
1 .0
500
1 .3 0
1.7
V
µA
50
ns
pF
C /
W
C
3 .0
-5 5 to +1 5 0
O
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, Irr=.25A.
3. Both Bonding and Chip structure are available.
STAD-AUG.12.2009
2
PAGE . 1
ER1000F~ER1006F
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
AVERAGE FORWARD CURRENT,
AMPERES
8
6
4
LEADLENGHTS
RESISTIVEORINDUCTIVE LOAD
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,
10
150
125
100
75
50
25
0
8.3ms Single
Half Since-Wave
JEDEC Method
2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
CASE TEMPERAURE,
O
C
Fig.1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE
1
2
5
10
20
50
100
NO. OF CYCLE AT 60HZ
Fig.2- MAXIMUM NON - REPETITIVE SURGE CURRENT
1000
40
INSTNTANEOUS FORWARD CURRENT
AMPERES
INVSTANTANEOUS REVERSE CURRENT,
MICROAMPERES
50-200V
300-400V
10
100
T
J
= 125 C
O
T
J
= 75 C
10
O
600V
1
1.0
T
J
= 25 C
O
T
J
=25 C
Pulse Width=200us
.1
O
0.1
.6
.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
20
40
60
80
100
120
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE ,VOLTS
PERCENT OF RATED PEAK INVERSE VOLTGE, VOLTS
Fig.3- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTIC
Fig.4- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHARACTERISTIC
STAD-AUG.12.2009
2
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