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ER2002FCT

20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
零件包装代码
TO-220AB
包装说明
ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
针数
3
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
其他特性
LOW POWER LOSS
应用
EFFICIENCY
外壳连接
ISOLATED
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流
150 A
元件数量
2
相数
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
20 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
200 V
最大反向恢复时间
0.035 µs
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
ER2000FCT~ER2006FCT
ISOLATION SUPERFAST RECOVERY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forwrd voltge, high current capability
• High surge capacity.
• Super fast recovery times, high voltage.
• Epitaxial chip construction.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
50 to 600 Volts
CURRENT
20 Amperes
MECHANICALDATA
• Case: ITO-220AB Molded plastic
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.55 ounces, 1.56 grams.
.027(.67)
.022(.57)
MAXIMUM RATING AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PARAMETER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current at Tc=100
o
C
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load(JEDEC method)
Maximum Forward Voltage at 10A
Maximum DC Reverse Current T
J
=25
O
C
at Rated DC Blocking VoltageT
J
=100
O
C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Junction capacitance (Note 1)
Typical thermal Resistance (Note 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
SYMBOL
ER2000FCT ER2001FCT ER2001AFCT ER2002FCT ER2003FCT ER2004FCT ER2006FCT
UNITS
V
R R M
V
R M S
V
D C
I
F (A V )
I
F S M
V
F
I
R
0.95
1
500
35
85
3.0
-50 to +150
O
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
20
150
300
210
300
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
A
1.3
1.7
V
µA
t
rr
C
J
R
θ
J c
T
J
,T
S T G
50
ns
pF
C/W
O
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, Irr=.25A.
3. Both Bonding and Chip structure are available.
STAD-JUN.05.2009
1
PAGE . 1
ER2000FCT~ER2006FCT
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
AVERAGE FORWARD CURRENT,
AMPERES
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT
AMPERES
20
16
12
6
RESISTIVEORINDUCTIVE LOAD
50
10
50-200V
300-400V
1.0
600V
4
0
0
20
40
60
80
100
O
T
J=
25 C
Pulse Width=200us
O
120
140
160
0.1
0
.8
1.0
.
1.2
1.4
1.6
1.8
CASE TEMPERAURE, C
Fig.1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS
Fig.2- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHARACTERISTIC
1000
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,
180
150
120
90
60
25
0
8.3ms Single
Half Since-Wave
JEDEC Method
INVSTANTANEOUS REVERSE CURRENT,
MICROAMPERES
100
T
J
= 125 C
O
T
J
= 75 C
10
O
1
2
5
10
20
50
100
1.0
NO. OF CYCLE AT 60HZ
T
J
= 25 C
O
Fig.4- MAXIMUM NON - REPETITIVE SURGE CURRENT
0.1
20
40
60
80
100
120
90
PERCENT OF RATED PEAK INVERSE VOLTGE, VOLTS
80
FIG.3 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
CAPACITANCE, pF
70
60
T
J
= 25 C
O
50
40
30
20
10
1
2
5
10
20
50 100 200
500
REVERSE VOLTAGE, VOLTS
Fig.5- TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
STAD-JUN.05.2009
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