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ES3M

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMC, 2 PIN

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:台湾光宝(LITEON)

厂商官网:http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
包装说明
R-PDSO-C2
针数
2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
应用
EFFICIENCY
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.7 V
JESD-30 代码
R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流
100 A
元件数量
1
相数
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
3 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
255
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
1000 V
最大反向恢复时间
0.05 µs
表面贴装
YES
端子形式
C BEND
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
文档预览
LITE
ON
POWER
SEMICONDUCTOR
ES3J thru ES3M
REVERSE VOLTAGE -
600
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT -
3.0
Amperes
SURFACE MOUNT
SUPER FAST RECTIFIERS
FEATURES
Glass passivated chip
Super fast switching for high efficiency
For surface mounted applications
Low forward voltage drop and high current capability
Low reverse leakage current
Plastic material has UL flammability classification
94V-0
SMC
SMC
A
DIM.
A
B
C
B
C
D
E
F
MIN.
6.60
5.59
2.92
0.15
7.75
0.05
2.01
0.76
MAX.
7.11
6.22
3.18
0.31
8.13
0.20
2.62
1.52
MECHANICAL DATA
Case : Molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.007 ounces, 0.21 grams
G
H
E
F
D
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC METHOD)
Maximum forward Voltage at 3.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
N
I
M
I
L
E
R
P
SYMBOL
A
800
560
800
3.0
100
1.5
10
500
R
H
G
All Dimensions in millimeter
Y
ES3M
1000
700
1000
ES3J
600
420
600
ES3K
UNIT
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
@T
L
=100 C
I
FSM
V
F
I
R
A
1.3
1.7
V
uA
@T
J
=25 C
@T
J
=125 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
T
RR
C
J
R
0JL
35
45
15
-55 to +150
-55 to +150
50
ns
pF
C/W
T
J
T
STG
C
C
REV. PRE, 24-May-2000
NOTES : 1. Reverse Recovery Test Conditions :I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,I
RR
=0.25A.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. Thermal Resistance junction to Lead.
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
ES3J thru ES3M
LITE
ON
FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD CURRENT
AMPERES
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
25
50
75
100
125
150
175
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,
AMPERES
100
80
60
40
SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
20
0
1
Pulse Width 8.3ms
Single Half-Sine-Wave
(JEDEC METHOD)
2
5
LEAD TEMPERATURE , C
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
FIG.3 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
10
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT, (A)
ES3J
1.0
0.1
.01
0.4
0.6
0.8
1.0
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, (VOLTS)
N
I
M
I
L
E
R
P
1000
ES3K
ES3M
FIG.4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
A
R
10
20
Y
50
100
INSTANTANEOUS
REVERSE CURRENT, (uA)
T
J
= 125 C
100
10
1.0
T
J
= 25 C
T
J
= 25 C
PULSEWIDTH:300us
0.1
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
0
20
40
60
80
100
120
140
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)
REV. PRE, 24-May-2000
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