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深圳市富满电子集团股½有限公司
SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD.
FM8002E
(文件编号：S&CIC1301)
概述
2W
音频功放
IC
FM8002E
是适用于便携电子产品的音频功率放大器。5V 电压时，最大驱动功率为
1.5W（8Ω负½½）和
2.0W（4Ω负½½）。FM8002E
的应用电路简单，只需要极少数外围器件。FM8002E 输出不需要外接耦合电容
或上举电容，采用
SOP8
封装，非常适合½电压、½功耗音频应用方案上½用。FM8002E 可以通过控制
进入休眠模式，从而降½功耗。FM8002E 通过创新的“开关/切换噪声”抑制技术，杜绝了上电、掉电出现
的噪声。FM8002E 工½稳定，增益带½积高达
2.5MHz，并且单½增益稳定。通过配½外围电阻可以调整
放大器的电压增益，方便应用。
特点
无需输出耦合电容或外部缓冲电路
稳定的增益输出
外部增益设½
封装½式：SOP-8
应用
可应用于手提设备，台式电脑及½电压工½的音频设备
引脚示意图及说明
管脚排列图
序号
1
2
名称
SHUTDOWN
BYPASS
+IN
-IN
VO1
VDD
GND
VO2
类型
I
I
I
I
O
POWER
POWER
O
说明
关断端口
电压基准端
正向输入端
反向输入端
音量输出端
1
电源端
接地端
音量输出端
2
SHUTDOWN
BY
PASS
+IN
-IN
VO
2
GND
VDD
VO
1
3
4
5
6
7
8
注：I：输入；O：输出；POWER：电源。
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FM8002E
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功½说明
桥路设½
2W
音频功放
IC
FM8002E
内部共有
2
个运放工½，第一个运放增益可在外部用
RF
和
RJ
两个电阻进行设½（＋IN 和－IN 端
口），第二个运放的增益由内部固定不变。第一个运放的输出信号实际上是第二个运放的输入信号，而且两个运
放产生的信号幅度相同，相½相反。因此
FM8002E
增益
A
VD
= 2×(Rf/Ri)
为驱动负½½，运放设½成桥接方式。桥接方式不同于一些常见的单端运放电路输出½式把负½½的一边接地，
在同等条件下½½负½½产生
4
倍的输出功率。
芯片功耗
功耗对于放大器来讲是一个关键指标之一，差分输出的放大器的最大自功耗为：
P
DMAX
＝4×（V
DD
）
2
/（2×∏
2
×R
L
）
必须注意，自功耗是输出功率的½数。
在进行电路设计时，不½½芯片内部的节温高于
T
JMAX
（150℃），需根据芯片的热阻θ
JA
来设计，可以通过
增加散热铜箔来提高散热性½。
如果芯片散热仍然达不到要求，则需要通过增大负½½电阻、降½电源电压或降½环境温度来解决。
基准电压 （Bypass 端电压）
电压基准端（Bypass）的外接电容应½可½的靠近
FM8002E，1.0μF
的电容提高了内部偏½电压的稳定性
并且提高了
PSRR。可以通过加大 Bypass
电容来改善
PSRR，实际大小取决于对 PSRR
的要求。
关断功½
为了减少功耗，FM8002E 的关断端（Pin1）可以关闭外部偏½电路。½关断端为高电平（电源电压）时，
运放关闭，FM8002E 不工½，这时
FM8002E
的工½电流降½到
4.2uA；½关断端为零电平时运放打开，
FM8002E
关断端的控制管脚电平必须是满足接口要求的控制信号，否则芯片可½进入不了掉电模式而处于不定
态，其自功耗没有降½，达不到节电目的。
在很多应用场合，关断端的电平½换½是由处理器来完成的。½½用单向闸刀开关实现电平½换时，可以在
关断端加上拉电阻，这样因上拉电阻的½用，½得
FM8002E
关断端的电平处于稳定的高电平状态，运放保持关
闭。
外围元件的选择
正确选择外围元器件才½够确保芯片的性½，½管
FM8002E
有很大的½量保证性½，½为了确保
整个性½，要求正确选择外围元器件。
FM8002E
单½增益稳定（放大倍数=1），因此½用的范围广，通常½用单½增益放大来降½
THD＋N，并
½信噪比最大，½这要求输入的电压幅度较大，通常需要½运放有
1Vrms
的电压输出。
另外，闭环带½也要保证，输入耦合电容
Ci（½成一阶高通）决定了½频响应。
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FM8002E
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输入耦合电容
2W
音频功放
IC
过大的输入电容会增加成本和面积，这对成本、面积紧张的应用来讲非常不利，确定½用多大的电容来完成
输入信号耦合很重要。实际上在很多应用中，扬声器（Speaker）不½够再现½于
100Hz－150Hz
的½频语音，
因此采用大的电容并不½够改善系统的性½
除此之外，开关/切换噪声的抑制性½受电容的½响，如果耦合电容大，则反馈½络的延迟大，导致
pop
噪声
出现，因此，小的耦合电容可以减少该噪声。
另外，必须考虑
Bypass
电容的大小，选择
C
By
=1uF，Ci＝0.1uF½0.39uF，可以满足系统的性½。
极限参数
(Ta=25℃)
特性
电源电压
工½温度
环境温度
节点温度
HBM ESD
耐压
符号
V
DD
T
OPR
T
A
T
J
2000
最小值
-
-40
-65
150
最大值
6
85
150
单½
V
℃
℃
℃
MM ESD
耐压
200
在极限值之外，芯片的工½性½不½保证。
电气参数
(VDD=5V，RL=8Ω，Ta=25℃)
参数
电源静态电流
工½电压
芯片掉电漏电流
输出失调电压
输出电阻
输出功率
8Ω
P
O
输出功率
4Ω
芯片唤醒时间
总谐波+失真噪声
电源电压抑制比
T
D
THD+N
PSRR
PO=0.5W
rms
；f=1KHZ
Vripple=200mV
PP
，正弦
波，输入接
10Ω电阻
60
符号
I
DD
V
DD
I
OFF
V
OS
R
O
THD+N<1%，f=1KHZ
THD+N<10%，f=1KHZ
THD+N<1%，f=1KHZ
THD+N<10%，f=1KHZ
100
0.1
63@f=217Hz
68@f=1KHz
0.2
1.6
2.4
7
测试条件
V
IN
=0V，I
O
=0A，无负½½
V
IN
=0V，I
O
=0A，负½½ 8Ω
1.6
4.2
3.7
8.5
1.1
1.6
20
10
最小值
标准值
4.4
4.3
6
最大值
单½
mA
V
uA
mV
KΩ
W
W
W
W
ms
%
dB
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典型参考特性
特性参数
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