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G3S06503C

直流反向耐压(Vr):650V 平均整流电流(Io):11A 正向压降(Vf):1.7V @ 3A

器件类别:分立半导体    肖特基二极管   

厂商名称:泰科天润(GPT)

厂商官网:https://www.globalpowertech.cn/

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器件参数
参数名称
属性值
直流反向耐压(Vr)
650V
平均整流电流(Io)
11A
正向压降(Vf)
1.7V @ 3A
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产品规格书
V2018.1.0
G3S06503C
650V/3A
碳化硅肖特基功率二极管
产品特性
正温度系数,易于并联½用
不受温度½响的开关特性
最高工½温度 175℃
零反向恢复电流
零正向恢复电压
产品概览
V
RRM
I
F,
T
c
≤156℃
Q
C
650
3
11
V
A
nC
产品优点
单极器件
极大降½开关损耗
并联器件中没有热崩溃
降½系统对散热片的依赖
C(3)
应用领域
开关模式电源(SMPS),功率因数校正(PFC)
电机驱动,光伏逆变器,不间断电源,
风力发动机,列½牵引系统,电动½½。
Package
: TO-252
C(1)
A(2)
产品型号
G3S06503C
封装½式
TO-252
打标
G3S06503C
G3S06503C
©2018
泰科天润半导½科技(北京)有限公司
-
版权所有
G3S06503C
650V/3A
碳化硅肖特基功率二极管
额定值
参数
反向重复峰值电压
反向浪涌峰值电压
反向直流电压
正向平均电流
正向重复峰值电流
正向不重复峰值电流
耗散功率
工½温度
贮藏温度
安装扭矩
标识
V
RRM
V
RSM
V
DC
I
F
I
FRM
I
FSM
P
TOT
T
j
T
stg
测试条件
数值
650
650
650
11
5
3
15
35
53.2
23
-55℃ to 175℃
-55℃ to 175℃
单½
V
T
C
=25℃
T
C
=135℃
T
C
=156℃
T
C
=25℃, tp=10ms
Half Sine
Wave,D=0.3
T
C
=25℃, tp=10ms
Half Sine
Wave
T
C
=25℃
T
C
=110℃
A
A
A
W
W
Nm
lbf-in
M3 Screw
6-32 Screw
1
8.8
热特性
参数
结到管壳的热阻
标识
R
th JC
测试条件
数值
典型值
2.82
单½
℃/W
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©2018
泰科天润半导½科技(北京)有限公司
-
版权所有
G3S06503C
650V/3A
碳化硅肖特基功率二极管
电学特性,无特殊说明时结温
Tj=25℃
参数
正向压降
反向电流
总存储电荷
标识
V
F
I
R
Q
C
测试条件
I
F
=3A, T
j
=25℃
I
F
=3A, T
j
=175℃
V
R
=650V, T
j
=25℃
V
R
=650V, T
j
=175℃
V
R
=400V, T
j
=150℃
数值
典型值 最大值
1.4
1.7
1.8
2.5
10
50
20
100
11
单½
V
µA
nC
Qc
½
VR
0
C
(
V
)
dV
-
220
25
21
V
R
=0V, T
j
=25℃, f=1MHZ
总电容
C
V
R
=200V, T
j
=25℃, f=1MHZ
V
R
=400V, T
j
=25℃, f=1MHZ
181
22.5
20.5
pF
性½曲线图
1)
典型正向特性
IF=f(VF),结温 Tj
为参数
2)典型反向特性
I
R
=f(V
R
),结温 T
j
为参数
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3)
不同负½½下的电流(Current
Derating)
(10%,30%,50%,70%,DC)
650V/3A
碳化硅肖特基功率二极管
4)典型电容-反向电压曲线
封装½式:TO-252
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650V/3A
碳化硅肖特基功率二极管
说明:
ISO9001:2008
质量管理½系要求于
2009
3
1
日实½。ISO9000 族标准是½际标准化组织(ISO)于
1987
年颁布的在全世界
范围内通用的关于质量管理和质量保证方面的系列标准。ISO9001
质量½系认证是指第三方(认证机构)对企业的质量½系进行
审核、评定和注册活动,其目的在于通过审核、评定和事后监督来证明企业的质量½系符合
ISO9001
标准,对符合标准要求者授
予合格证书并予以注册的全部活动。泰科天润半导½科技(北京)有限公司的
ISO9001:2008
以及其他资质证书信息可以通过
公司官½查询:
http://www.globalpowertech.cn/CompVisualize.asp
更多的产品信息和公司信息敬请登陆官½:
http://www.globalpowertech.cn/
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