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G50N03A

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道 N管,30V,50A,开启1.4V, 6.2mΩ@10V, 10mΩ@4.5V

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:谷峰(GOFORD)

厂商官网:http://www.goford.cn/

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
50A(Tc)
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
10mΩ @ 12.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
60W(Tc)
类型
N沟道