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G60N04

漏源电压(Vdss):45V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):65W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,45V,60A,9.7mΩ@10V

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:谷峰(GOFORD)

厂商官网:http://www.goford.cn/

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
45V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
60A(Tc)
栅源极阈值电压
2.2V @ 250uA
漏源导通电阻
12mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
65W(Tc)
类型
N沟道
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