首页 > 器件类别 > 分立半导体

GBU2002

Single Phase 20A Silicon Bridge Rectifiers 单相20安培硅桥式整流器

器件类别:分立半导体   

厂商名称:扬杰科技(YANGJIE)

厂商官网:http://www.21yangjie.com/

器件标准:

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
扬杰科技(YANGJIE)
Reach Compliance Code
compliant
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型
BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.1 V
最大非重复峰值正向电流
240 A
元件数量
4
最高工作温度
150 °C
最大输出电流
20 A
最大重复峰值反向电压
200 V
表面贴装
NO
文档预览
GBU20005 THRU GBU2010
桥式整流器
Bridge Rectifier
■特征
Features
■外½尺寸和印记
Outline Dimensions and Mark
GBU
.140(3.56)
.130(3.30)
I
o
20A
.880(22.3)
.860(21.8)
.160(4.1)
.140(3.5)
.310(7.90)
.290(7.40)
V
RRM
50V~1000V
玻璃钝化芯片
Glass passivated chip
耐正向浪涌电流½力高
High surge forward current capability
.740(18.8)
.720(18.3)
.085(2.16)
.065(1.65)
- ~ ~ +
.080(2.03)
.060(1.52)
.104(2.66)
.094(2.40)
.710(18.0)
.690(17.5)
■用途
Applications
.100(2.54)
.081(2.06)
.050(1.27)
.040(1.02)
½一般电源单相桥式整流用
General purpose 1 phase Bridge
rectifier applications
.210(5.33)
.190(4.83)
.210(5.33)
.190(4.83)
.210(5.33)
.190(4.83)
.022(0.56)
.018(0.46)
■极限值(绝对最大额定值)
Limiting Values(Absolute Maximum Rating)
参数名称
Item
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Reverse
Voltage
平均整流输出电流
Average Rectified Output
Current
正向(不重复)浪涌电流
Surge(Non-
repetitive)Forward Current
正向浪涌电流的平方对电流
浪涌持续时间的积分值
Current Squared Time
存储温度
Storage Temperature
结温
Junction Temperature
绝缘耐压
Dielectric Strength
安装扭矩
Mounting Torque
Dimensions in inches and (millimeters)
符号 单½
Symbol Unit
V
RRM
V
条件
Conditions
GBU20
005 01 02 04 06 08 10
50 100 200 400 600 800 1000
I
O
A
60Hz正弦波,
用散热片
T
c
=87℃
电阻负½½
With heatsink T
c
=87℃
60Hz sine wave,
无散热片
T
a
=25℃
R-load
Without heatsink T
a
=25℃
60H
Z
正弦波,一个周期,T
j
=25℃
60H
Z
sine wave, 1 cycle, T
j
=25℃
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃,单个二极管
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃,Rating of per diode
20
3.5
240
I
FSM
A
2
It
A
2
S
KV
kg·
cm
240
-55 ~+150
-55 ~+150
T
stg
T
j
V
dis
Tor
端子与外壳之间外加交流电,一分钟
Terminals to case,AC 1 minute
推荐值:5kg·cm
Recommend torque:5kg·cm
2.5
8
■电特性 (T
a=25℃
除非另有规定)
Electrical Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
参数名称
Item
符号 单½
Symbol Unit
V
FM
I
RRM
R
θ
J-A
℃/W
R
θ
J-C
V
μA
测试条件
Test Condition
I
FM
=10A,
脉冲测试,单个二极管的额定值
I
FM
=10A, Pulse measurement, Rating of per diode
V
RM
=V
RRM
,脉冲测试,单个二极管的额定值
V
RM
=V
RRM
, Pulse measurement, Rating of per diode
结和环境之间,无散热片
Between junction and ambient, Without heatsink
结和管壳之间,用散热片
Between junction and case, With heatsink
最大值
Max
1.1
10
22
1.5
正向峰值电压
Peak Forward Voltage
反向峰值电流
Peak Reverse Current
热阻
Thermal Resistance
Document Number 0043
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
GBU20005 THRU GBU2010
■特性曲线(典型)
 
Characteristics(Typical)
Io(A)
1
Io-Tc
曲线
FIG1:Io-Tc Curve
IFSM(A)
30
图2:耐正向浪涌电流曲线
FIG2:Surge Forward Current Capadility
300
正弦波
sine wave
散热片
heatsink
Tc
0
IFSM
8.3ms 8.3ms
1cycle
20
200
不重复
non-repetitive
Tj=25
10
正弦波,电阻负½½,
用散热片
sine wave R-load
with heatsink
100
0
80
90
100
110
120
130
140
150
160
Tc(
)
0
1
2
5
10
20
50
100
Number of Cycles
IR(uA)
图3:正向电压曲线
FIG3: Forward Voltage
IF(A)
60
40
20
10
5.0
图4:反向电流曲线
FIG4:Typical Reverse Characteristics
100
Tj=150
10
1.0
Ta=25
1.0
0.5
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VF(V)
Tj=25
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
Voltage(%)
Document Number 0043
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
查看更多>