电子工程世界
Datasheet
型号
型号
关键词
X
首页
技术
模拟电子
单片机
半导体
电源管理
嵌入式
传感器
应用
汽车电子
工业控制
家用电子
手机便携
安防电子
医疗电子
网络通信
测试测量
物联网
大学堂
首页
直播
专题
TI 培训
论坛
TI 技术论坛
ST MEMS 传感器技术
单片机
电机驱动控制
模拟电子
电源技术
PCB 设计
RF/无线
电子竞赛
DIY/开源硬件专区
颁奖专区
活动中心
直播
发现活动
颁奖区
电子头条
参考设计
下载中心
分类资源
文集
排行榜
电路图
Datasheet
X
搜索
首页
>
器件类别
>
分立半导体
>
二极管
GDZJ36D-34_R2_10001
Zener Diode
器件类别:
分立半导体
二极管
厂商名称:
强茂(PANJIT)
厂商官网:
http://www.panjit.com.tw/
器件标准:
下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
JEDEC-95代码
DO-34
JESD-30 代码
O-LALF-W2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.5 W
标称参考电压
36 V
表面贴装
NO
技术
ZENER
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
最大电压容差
2.52%
工作测试电流
5 mA