旌芯半导½科技(上海)有限公司
GN Semicondutor (Shanghai) Co., Ltd.
GN1623
LED 驱动控制专用电路
产品说明书
中½(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层
http://www.gnsemic.com
电话:021-34125778
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1、概
述
GN1623
是带键盘扫描接口的
LED
驱动控制专用电路，
内部集成有
MCU
数字接口、
数据锁存器、
键盘扫描等电路。本产品主要应用于
VCR、VCD、DVD
及家庭½院等产品的显示屏驱动。
其主要特点如下：
采用功率
CMOS
工艺
显示模式（11 段×7 ½½14 段×4 ½）
键扫描（10×3bit）
辉度调节电路（占空比
8
级可调）
串行接口（CLK，STB，DOUT、DIN）
内½
RC
振荡（450KHz±5%）
内½上电复½电路
封装½式：SOP32
2、引脚排列图及引脚说明
2.1、引脚排列图
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2.2、引脚说明
引脚
1
2
3
5
5
引脚名称
NC
数据输出
数据输入
时钟输入
片选
符 号
NC
DOUT
DIN
CLK
STB
说
明
悬空
在时钟上升沿输入串行数据，从½½开始。
在时钟下降沿输出串行数据，从½½开始，输出为
N-ch open drain。
。
在时钟上升沿输入串行数据，从½½开始。
电路内部
DIN、DOUT
为一个
DIO PAD。
在上升沿读取串行数据，下降沿输出数据。
在上升或下降沿初始化串行接口，随后等待接收指
令。STB 为½后的第一个字节½为指令，½处理指令
时，½前其它处理被终止。½
STB
为高时，CLK 被
½略。
输入该脚的数据在显示周期结束后被锁存，内部对地
有一个
10K
的下拉电阻。
输入该脚的数据在显示周期结束后被锁存，内部对地
有一个
10K
的下拉电阻。
输入该脚的数据在显示周期结束后被锁存，内部对地
有一个
10K
的下拉电阻。
电源电压
段输出（也用½键扫描） 管开漏输出。
，P
段输出（也用½键扫描） 管开漏输出。
，P
段输出（也用½键扫描） 管开漏输出。
，P
悬空
段输出（也用½键扫描） 管开漏输出。
，P
段输出（也用½键扫描） 管开漏输出。
，P
段输出（也用½键扫描） 管开漏输出。
，P
段输出（也用½键扫描） 管开漏输出。
，P
段输出（也用½键扫描） 管开漏输出。
，P
段输出（也用½键扫描） 管开漏输出。
，P
段输出（也用½键扫描） 管开漏输出。
，P
段输出，P 管开漏输出。
段/½复用输出
段/½复用输出
段/½复用输出
5V±10%
接系统地
½输出，N 管开漏输出。
½输出，N 管开漏输出。
接系统地
½输出，N 管开漏输出。
½输出，N 管开漏输出。
接系统地
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
键扫数据输入
键扫数据输入
键扫数据输入
逻辑电源
输出（段）
输出（段）
输出（段）
NC
输出（段）
输出（段）
输出（段）
输出（段）
输出（段）
输出（段）
输出（段）
输出（段）
输出（段/½）
输出（段/½）
输出（段/½）
逻辑电源
逻辑地
输出（½）
输出（½）
逻辑地
输出（½）
输出（½）
逻辑地
K1
K2
K3
VDD
SEG1/KS1
SEG2/KS2
SEG3/KS3
NC
SEG4/KS4
SEG5/KS5
SEG6/KS6
SEG7/KS7
SEG8/KS8
SEG9/KS9
SEG10/KS10
SEG11
SEG12/GRID7
SEG13/GRID6
SEG14/GRID5
VDD
GND
GRID4
GRID3
GND
GRID2
GRID1
GND
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3、电特性
3.1、
极限参数（Ta=25℃，GND=0V）
参 数 名 称
逻辑电源电压
逻辑输入电压
LED SEG
驱动输出电流
LED GRID
驱动输出电流
功率损耗
工½温度
储存温度
焊接温度
符 号
V
DD
V
I1
I
O1
I
O2
P
D
Topt
Tstg
T
L
条 件
额 定 值
-0.5½+7.0
-0.5½V
DD
+0.5
-50
+200
400
-40½+80
-65½+150
250
单 ½
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
℃
10
秒
3.2、推荐½用条件（Ta= -20℃½+70℃，GND=0V）
参 数 名 称
逻辑电源电压
高电平输入电压
½电平输入电压
3.3、电气特性
3.3.1、电气特性（Ta= -20℃½+70℃，V
DD
=4.5V½5.5V ,GND=0V）
参数
高电平输出电流
I
OH2
½电平输出电流
½电平输出电流
高电平输出电流
容许量
输入电流
高电平输入电压
½电平输入电压
滞后电压
动态电流损耗
输出下拉电阻
I
OL1
I
DATA
I
TOLSG
I
I
V
IH
V
IL
V
H
I
DD
dyn
RL
符号
I
OH1
测试条件
SEG1/KS1½SEG10/KS10,
V
O
=V
DD
-2V
SEG1/KS1½SEG10/KS10,
V
O
=V
DD
-3V
GRID1½GRID4,V
O
= 0.3V
V
O
=0.4V, DIO
V
O
=V
DD
-3V,
SEG1/KS1½SEG10/KS10
V
I
=V
DD
/GND
CLK、DIN、DOUT、STB
CLK、DIN、DOUT、STB
CLK、DIN、DOUT、STB
无负½½，显示关
K1~K3
最小
-20
-20
80
4
-
-
0.7V
DD
-
-
-
-
典型
-25
-30
140
8
-
-
-
-
0.35
-
10
最大
-40
-50
-
-
5
±1
0.3V
DD
-
5
-
单½
mA
mA
mA
mA
%
uA
V
V
V
mA
KΩ
符 号
V
DD
V
IH
V
IL
最小
3
0.7V
DD
0
典型
5
-
-
最大
5.5
V
DD
0.3V
DD
单 ½
V
V
V
3.3.2、开关特性（Ta= -20℃½+70℃，V
DD
=4.5V½5.5V）
参数
振荡频率
传输延迟时间
上升时间
符号
f
OSC
t
PLZ
t
PZL
T
TZH1
T
TZH2
测试条件
CLK→DIN
CL=15pF, R
L
=10KΩ
SEG1/KS1½
CL=300pF
SEG10/KS10
GRID1½GRID4
最小
-
-
-
-
-
典型
450
-
-
-
-
最大
-
300
100
2
0.5
单½
KHz
ns
ns
us
us
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下降时间
最大时钟频率
输入电容
T
THZ
Fmax
C
I
CL=300pF、SEGn、GRIDn
占空比
50%
-
-
1
-
-
-
-
120
-
15
us
MHz
pF
3.3.3、时序特性（Ta= -20℃½+70℃，V
DD
=4.5V½5.5V）
参数
时钟脉冲½度
选通脉冲½度
数据建立时间
数据保持时间
CLK→STB
时间
等待时间
符号
PWCLK
PWSTB
t
SETUP
t
HOLD
t
CLK STB
t
WAIT
测试条件
-
-
-
-
CLK↑→STB↑
CLK↑→CLK↓
最小
400
1
100
100
1
1
典型
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
单½
ns
μs
ns
ns
μs
μs
4、时序图与端口操½说明、指令系统介绍
4.1、时序图
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电子工程世界
