旌芯半导½科技(上海)有限公司
GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.
GN1629C
LED驱动控制专用电路
产品说明书
中½(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层
http://www.gnsemic.com
电话:021-34125778
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1、概
述
GN1629C Ltd.是带键盘扫描接口的LED驱动专用电路，内½键盘扫描接口，MCU数字接口、数
据锁存器等电路。主要应用于冰箱、空调 、家庭½院等产品显示屏的驱动控制。
其主要特点如下：
●
●
●
●
●
●
●
采用功率CMOS工艺
显示模式：15段×8½
键扫描：8×1bit
辉度调节电路（占空比8级可调）
串行接口（CLK、DIO、
STB
）
内½RC振荡（400KHz±5%）
内½上电复½电路
●
封装½式：
SOP32
2、功½框图及引脚说明
2.1、引脚排列图
图
1、引脚排列图
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2.2、引脚说明
引脚
1、2、4、
5、 29、
28、
31、32
7
8
DIO
CLK
数据输入/输出
时钟输入
在时钟上升沿输入/输出串行数据， 从
½½开始。
在时钟上升沿输入/输出串行数据
在上升或下降沿初始化串行接口， 随
后等待接收指令。
STB
为½后的第一个
9
STB
片选
字节½为指令，½处理指令时，½前其
它处理被终止。½STB 为高时，
CLK
被½略。
10
3、6、30
11、27
12½19
20½26
K0
GND
VDD
SEG1/KS1½SEG8/KS8
SEG9½SEG15
键扫数据输入
逻辑地
逻辑电源
输出（段）
输出（段）
输入该脚的数据在显示周期结束后被
锁存。
接系统地
5V±10%
段输出（也用½键扫描）,p管开漏输出。
段输出,P管开漏输出。
GRID1½GRID8
输出（½）
½输出，
N管开漏输出。
符
号
引脚名称
功
½
注：
DIO口输出数据时为N管开漏输出
（见图2） 在读键的时候需要外接1K-10K的上拉电阻，
，
推荐10K
的上拉电阻。DIO在时钟的下降沿控制N管的动½，此时读数时不稳定，在时钟的上升沿读数才
时稳定，时序参考图7
图
2、DIO
端口结构
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3、电特性
3.1、极限参数(除非另有规定，GND
=0V，T
amb
=25℃)
参 数 名 称
符 号
条 件
逻辑电源电压
逻辑输入电压
LED SEG
驱动输出电流
LED GRID
驱动输出电流
功率损耗
工½环境温度
贮存温度
焊接温度
VDD
V
I
I
O1
I
O2
P
D
T
amb
T
stg
T
L
10
秒
额 定 值
-0.5~7.0
-0.5~VDD+0.5
-50
+200
400
-40~+80
-65~+150
250
单 ½
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
℃
3.2、推荐½用条件(工½条件：T
amb
= -20~+70℃，GND=0V)
参 数 名 称
逻辑电源电压
高电平输入电压
½电平输入电压
符 号
VDD
V
IH
V
IL
最小
3
0.7VDD
0
典型
5
－
－
最大
5.5
VDD
0.3 VDD
单 ½
V
V
V
3.3、电气特性
3.3.1
直流参数（除非另有规定，T
amb
=-20½+70℃,VDD=4.5½5.5V，GND=0V）
参 数 名 称
高电平输出电流
½电平输出电流
½电平输出电流
高电平输出电流
容许量
输出下拉电阻
输入电流
高电平输入电压
½电平输入电压
滞后电压
动态电流损耗
符号
I
OH
1
I
OH
2
I
OL
1
Idout
Itolsg
RL
II
V
IH
V
IL
V
H
IDDdyn
测 试 条 件
SEG1½SEG15，Vo =VDD -2V
SEG1½SEG15，Vo = VDD-3V
GRID1½GRID8
，Vo=0.3V
VO = 0.4V，dout
VO = VDD–3V，SEG1½SEG15
K0
VI=VDD/GND
CLK，DIO, STB
CLK，DIO, STB
CLK，DIO, STB
无负½½，显示关
最小
-20
-20
80
4
－
－
－
0.7VDD
－
－
－
典型
-25
-30
140
－
－
10
－
－
－
0.35
－
最大
-40
-50
－
－
5
－
±1
－
0.3VDD
－
5
单½
mA
mA
mA
mA
%
KΩ
µA
V
V
V
mA
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3.3.2
交流参数（除非另有规定，T
amb
=-20~+70℃,VDD=4.5~5.5V）
参 数 名 称
振荡频率
传输延迟时间
上升时间
下降时间
最大时钟频率
输入电容
时钟脉冲½度
选通脉冲½度
符 号
Fosc
Tplz
Tpzl
TTZH1
TTZH2
TTHZ
Fmax
CI
PWCLK
PWSTB
测 试 条 件
最小
－
－
－
－
－
－
1
典型
400
－
－
－
－
－
最大
300
100
2
0.5
120
15
－
－
－
－
－
－
单½
KHz
ns
ns
µs
µs
µs
MHz
CLK→DIO，CL=15pf，RL=10KΩ
CL=300pf
SEG1½SEG15
GRID1½GRID8
CL=300pf，SEGN，GRIDN
占空比
50%
－
－
－
－
－
－
－
－
pf
ns
µs
ns
ns
µs
µs
400
1
100
100
CLK↑→STB↑
数据建立时间
数据保持时间
CLK
→STB
时间
tSETUP
tHOLD
tCLK
STB
1
1
等待时间
tWAIT
CLK↑→CLK↓
4、功½介绍
4.1、显示寄存器地址和显示模式
该寄存器存储通过串行接口从外部器件传送到GN1629C的数据，地址从00H-0FH共16字节单元，
分别与芯片SEG和GRID管脚所接的LED灯对应，分配如图3：
写LED显示数据的时候，按照从显示地址从½½到高½，从数据字节的½½到高½操½。
SEG1
B0
SEG2
B1
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
SEG9
SEG10
SEG11
SEG12
SEG13
SEG14
SEG15
X
xxHL(½四½)
B2 B3
00HL
02HL
04HL
06HL
08HL
0AHL
0CHL
0EHL
xxHU(高四½)
B4
B5 B6
00HU
02HU
04HU
06HU
08HU
0AHU
0CHU
0EHU
B7
xxHL(½四½)
B0
B1 B2
01HL
03HL
05HL
07HL
09HL
0BHL
0DHL
0FHL
B3
xxHU(高四½)
B4
B5 B6
01HU
03HU
05HU
07HU
09HU
0BHU
0DHU
0FHU
B7
GRID 1
GRID 2
GRID 3
GRID 4
GRID 5
GRID 6
GRID 7
GRID8
图3、
写LED显示数据的时候，按照从½½地址到高½地址，从字节的½½到高½操½；在运用中没有
½用到的SEG输出口，在对应的BIT地址½写0。
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