首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

GQZ16C

Zener Diode, 16.1V V(Z), 2.55%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, GLASS, QUADROMELF-2

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
零件包装代码
MELF
包装说明
O-LELF-R2
针数
2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
最大动态阻抗
18 Ω
JESD-30 代码
O-LELF-R2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.5 W
标称参考电压
16.1 V
表面贴装
YES
技术
ZENER
端子形式
WRAP AROUND
端子位置
END
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
最大电压容差
2.55%
工作测试电流
10 mA
Base Number Matches
1
文档预览
DATA SHEET
GQZ2.0~GQZ56
SURFACE MOUNT ZENER DIODES
VOLTAGE
2.0 to 56 Volts
POWER
500 mWatts
QUADRO-MELF
Unit : inch (mm)
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
67
.0
(1
.7
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
)
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass QUADRO-MEIF
• Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.008 grams
• Mounting Position: Any
• Packing information
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
.020(0.5)
.012(0.3)
.146(3.7)
.130(3.3)
.020(0.5)
.012(0.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation at Tamb = 25
Junction Temperature
Storage Temperature Range
O
Symbol
Value
500
175
-65 to +175
Units
mW
O
C
P
TOT
T
J
T
S
C
C
O
Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
Parameter
Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r
Forward Voltage at IF = 100mA
Symbol
Min.
--
--
Typ.
Max.
0.3
1
Uni ts
K/mW
V
RthA
VF
--
--
Vali d provi ded that leads at a di stance of 10mm from case are kept at ambi ent temperature.
STAD-JUL.19.2003
.063(1.6)
.055(1.4)DIA.
PAGE . 1
Part Number
GQZ 2.0
GQZ 2.2
GQZ 2.4
GQZ 2.7
GQZ 3.0
GQZ 3.3
GQZ 3.6
GQZ 3.9
C LA S S
A
B
A
B
A
B
A
B
A
B
A
B
A
B
A
B
A
B
C
A
V
Z
@ I
ZT
M i n. V
1.88
2.02
2.12
2.22
2.33
2.43
2.54
2.69
2.85
3.01
3.16
3.32
3.455
3.60
3.74
3.89
4.04
4.17
4.30
4.44
4.55
4.68
4.81
4.94
5.09
5.28
5.45
5.61
5.78
5.96
6.12
6.29
6.49
6.66
6.85
7.07
7.29
7.53
7.78
8.03
8.29
8.57
8.83
9.12
9.41
9.70
9.94
10.18
10.50
10.82
M a x. V
2.10
2.20
2.30
2.41
2.52
2.63
2.75
2.91
3.07
3.22
3.38
3.53
3.695
3.845
4.01
4.16
4.29
4.43
4.57
4.68
4.80
4.93
5.07
5.20
5.37
5.55
5.73
5.91
6.09
6.27
6.44
6.63
6.83
7.01
7.22
7.45
7.67
7.92
8.19
8.45
8.73
9.01
9.30
9.59
9.90
10.20
10.44
10.71
11.05
11.38
IZ
(m A )
20
20
20
20
20
20
20
20
VR
(V )
0.5
0.7
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
IR ( u A )
MA X
120
120
120
120
50
20
10
5
Iz t
(mA )
20
20
20
20
20
20
20
20
Z
ZT
(Ω )
MA X
140
120
100
100
80
70
60
50
I
ZK
(
m
A)
1
1
1
1
1
1
1
1
Z
ZK
(Ω )
MA X
2000
2000
2000
1000
1000
1000
1000
1000
GQZ 4.3
20
1.0
5
20
40
1
1000
GQZ 4.7
B
C
A
20
1.0
5
20
25
1
900
GQZ 5.1
B
C
A
20
1.5
5
20
20
1
800
GQZ 5.6
B
C
A
20
2.5
5
20
13
1
500
GQZ 6.2
B
C
A
20
3.0
5
20
10
1
300
GQZ 6.8
B
C
A
20
3.5
2
20
8
0.5
150
GQZ 7.5
B
C
A
20
4.0
0.5
20
8
0.5
120
GQZ 8.2
B
C
A
20
5.0
0.5
20
8
0.5
120
GQZ 9.1
B
C
A
B
C
D
A
20
6.0
0.5
20
8
0.5
120
GQZ 10
20
7.0
0.2
20
8
0.5
120
GQZ 11
B
C
10
8.0
0.2
10
10
0.5
120
STAD-JUL.19.2003
PAGE . 2
Part Number
C LA S S
A
V
Z
@ I
ZT
M i n. V
11.13
11.44
11.74
12.11
12.55
12.99
13.44
13.89
14.35
14.80
15.25
15.69
16.22
16.82
17.42
18.02
18.63
19.23
19.72
20.15
20.64
21.08
21.52
22.05
22.61
23.12
23.63
24.26
24.97
25.63
26.29
26.99
27.70
28.36
29.02
29.68
30.32
30.90
31.49
32.14
32.79
33.40
34.01
34.68
35.36
36.00
36.63
40.00
44.00
48.00
53.00
M a x. V
11.71
12.03
12.35
12.75
13.21
13.66
14.13
14.62
15.09
15.57
16.04
16.51
17.06
17.70
18.33
18.96
19.59
20.22
20.72
21.20
21.71
22.17
22.63
23.18
23.77
24.31
24.85
25.52
26.26
26.95
27.64
28.39
29.13
29.82
30.51
31.22
31.88
32.50
33.11
33.79
34.49
35.13
35.77
36.47
37.19
37.85
38.52
45.00
49.00
54.00
60.00
IZ
(m A )
10
VR
(V )
9.0
IR ( u A )
MA X
0.2
Iz t
(mA )
10
Z
ZT
(Ω )
MA X
12
I
ZK
(
m
A)
0.5
Z
ZK
(Ω )
MA X
110
GQZ 12
B
C
A
GQZ 13
B
C
A
10
10
0.2
10
14
0.5
110
GQZ 15
B
C
A
10
11
0.2
10
16
0.5
110
GQZ 16
B
C
A
10
12
0.2
10
18
0.5
150
GQZ 18
B
C
A
B
C
D
A
B
C
D
A
B
C
D
A
B
C
D
A
B
C
D
A
B
C
D
A
B
C
D
A
B
C
D
10
13
0.2
10
23
0.5
150
GQZ 20
10
15
0.2
10
28
0.5
200
GQZ 22
5
17
0.2
5
30
0.5
200
GQZ 24
5
19
0.2
5
35
0.5
200
GQZ 27
5
21
0.2
5
45
0.5
250
GQZ 30
5
23
0.2
5
55
0.5
250
GQZ 33
5
25
0.2
5
65
0.5
250
GQZ 36
5
27
0.2
5
75
0.5
250
GQZ 39
5
30
0.2
5
85
0.5
250
GQZ 43
GQZ 47
GQZ 51
GQZ 56
5
5
5
5
33
36
39
43
0.2
0.2
0.2
0.2
5
5
5
5
90
90
110
110
--
--
--
--
STAD-JUL.19.2003
PAGE . 3
TEMPERATURE COEFFICIENT,(mA/
O
C)
8
7
6
5
4
3
2
1
TEMPERATURE COEFFICIENT,(mA/
O
C)
100
10
0
-1
-2
-3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1
10
100
NOMINAL ZENER VOLTAGE,VOLTS
NOMINAL ZENER VOLTAGE,VOLTS
Fig.1 TEMPERATURE COEFFICENTS
Fig.2 TEMPERATURE COEFFICENTS
1000
DYNAMIC IMPEDANCE,W
IZ = 1 mA
FORWARD CURRENT,mA
T
J
=25 C
I
Z(AC)=0.1
I
Z(DC)
F=1 kHZ
O
1000
100
5 mA
20 mA
100
10
10
150
O
C
75 C
O
25
O
C
5
O
C
1
1
10
NORMAL ZENER VOLTAGE, VOLTS
100
1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
FORWARD VOLTAGE, VOLTS
Fig.3 EFFECT OF ZENER VOLTAGE ON ZENER IMPEDANCE
Fig.4 TYPICAL FORWARD VOLTAGE
1000
0.6
POWER DISSIPATION, Watts
0 V BIAS
1 V BIAS
T
A
=25
O
C
T
A
=25
o
C
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
25
50
75
100
125
CAPACITANCE,pF
100
BIASAT
50% OF VZ NOM
10
1
150
175
200
1
10
NORMAL ZENER VOLTAGE, VOLTS
100
TEMPERATURE (
O
C)
Fig.5 STEADY STATE POWER DERATING
Fig.6 TYPICAL CAPACITANCE
STAD-JUL.19.2003
PAGE . 4
100
T
A
=25
o
C
100
T
A
=25
o
C
ZENER CURRENT,mA
10
ZENER CURRENT,mA
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0
2
4
6
8
10
12
0.01
10
30
50
70
90
ZENER VOLTAGE, VOLTS
Fig.7 ZENER VOLTAGE VERSUS ZENER CURRENT
ZENER VOLTAGE, VOLTS
Fig.8 ZENER VOLTAGE VERSUS ZENER CURRENT
1000
LEAKAGE CURRENT,uA
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
0
10
20
30
40
50
60
70
+150 C
O
+25 C
-55 C
80
90
O
O
NORMAL ZENER VOLTAGE, VOLTS
Fig.9 TYPICAL LEAKAGE CURRENT
STAD-JUL.19.2003
PAGE . 5
查看更多>
诚邀您参加“创新·智享" e络盟技术研讨会-合肥站
由e络盟主办的“新思维.新趋势”合肥站的技术研讨会,将于2018年6月13日在合肥皇冠假日酒店。在本次研讨会中,e络盟将携手TI,Alphawire,WuerthElektronik的众多技术专家们,不仅向您讲解最新的技术发展趋势,还将带来新的应用解决方案,并将现场演示新产品的应用案例。另外,您也可以通过现场提问与技术专家进行面对面的交流。现在报名即可在现场领取小米充电宝一个,请赶快行动吧!立即报名诚邀您参加“创新·智享e络盟技术研讨会-合肥站{:1_10...
eric_wang 综合技术交流
【请教】谁知道这是啥啊。。。。
请问这是啥东西啊。。【请教】谁知道这是啥啊。。。。好像是传说中的音响楼主需要提供更多的局部详细信息才好判断。原帖由ddllxxrr于2011-8-2409:13发表这绝对不是什么音响。没见过,很难判断...
惆怅丁字裤 综合技术交流
关于USB3320的VDDIO供电问题
这是STM32开发板上的USB-HS电路图,USB3320的VDDIO通过一个MOSFET连接到3.3V,MOSFET通过1.8V电源控制导通。刚看一这个电路时觉得放一个MOSFET好像有点多余,为什么不把R145直接连上呢,后来看了一下USB3320的数据手册才发现原来是上电时序问题。VDDIO必需在VDD18供电稳定后才能供电,所以才有了这个电路,不过很奇怪为什么要放一个R145的空位呢?关于USB3320的VDDIO供电问题你要清楚,既然是开会板,那么就要求做兼...
littleshrimp 综合技术交流
EEWORLD大学堂----电子纹身,还能随时切换图案~
只要纹身不是自己母语,就觉得高端大气上档次脑白金,哈哈。这哥们的确需要脑白金补补,建议他喝六个核桃:hug:这种是怎么实现的呢?感觉是投影呀,如果身体里内嵌了东西,那这东西就卖不出去啦假的吧怎么到皮肤上显示的啊 :pleased:感觉这个应该还是个概念视频传说这就是EmergeLabs实验室正在研发的皮下数字墨水技术,相当于普通的纹身刺青与电子墨水屏幕技术结合之所以感觉是个概念视频,是因为虽然图片显示以后不再耗费电量,但是显示图像发生改变时需要消耗能量,怎么在人体...
抛砖引玉 综合技术交流
单片机通过继电器控制交流220V的输出
整个系统的要求是单片机控制四路交流220V的输出我考虑的方案是:市电220V通过5V2A的电源适配器输出5V这个5V电源有两个用处:一是经过LDO芯片输出3.3V供电STM32芯片二是给四路继电器的线圈提供驱动电压STM32的4个GPIO口通过光耦控制继电器线圈的驱动电压请问各位大侠,这个方案可行不?如果可行的话,需要注意的地方有哪些?单片机通过继电器控制交流220V的输出同一电源既供给MCU又供给继电器,那就没有必要用光耦...
tuzihog 综合技术交流
纯单片机与CPLD设计的优缺点分析
  自20世纪80年代单片机引入我国以来,学习和应用单片机的热潮始终不减,特别是MCS51系列。这是由单片机的特点决定的。实际上,从单片机/CPLD应用通用数字集成电路系统,到广泛应用单片机,是我国电子设计在智能化应用水平上质的飞跃。据统计分析,单片机的销量单片机/CPLD到目前为止依然逐年递增,而且在很长一段的时间内,单片机依然会是电子设计的主角(虽然这一地址已经受到了CPLD的挑战)。  1纯单片机系统优缺点  ①大量单片机/CPLD的外围芯片和接口电路使得单片机应用系统的...
icpcbsmt 综合技术交流