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GQZ39B_R2_10001

Zener Diode,

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
包装说明
O-LELF-R2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
JESD-30 代码
O-LELF-R2
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.5 W
标称参考电压
39 V
表面贴装
YES
技术
ZENER
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
WRAP AROUND
端子位置
END
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
最大电压容差
2.52%
工作测试电流
5 mA
Base Number Matches
1
文档预览
GQZ2.0~GQZ56
SURFACE MOUNT ZENER DIODES
VOLTAGE
2 to 56 Volts
POWER
500 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
0.055(1.4)DIA.
1.
7)
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.
06
7(
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass QUADRO-MELF
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.03 grams
• Mounting Position: Any
• Packing information
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
0.020(0.5)
0.012(0.3)
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.020(0.5)
0.012(0.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation at T
A
= 25
O
C
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
Value
500
175
-65 to + 175
Units
mW
O
P
TOT
T
J
T
STG
O
Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
Parameter
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Forward Voltage at I
F
= 100mA
Symbol
Min.
--
--
Typ.
Max.
0.3
1
o
Units
C/mW
V
R
Θ
JA
V
F
--
--
Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
April 11,2012-REV.01
0.063(1.6)
C
C
PAGE . 1
GQZ2.0~GQZ56
Nominal Zener Voltage
Part Number
No m . V
500 mW Zener Diodes
GQZ 2.0A
GQZ 2.0B
GQZ 2.2A
GQZ 2.2B
GQZ 2.4A
GQZ 2.4B
GQZ 2.7A
GQZ 2.7B
GQZ 3.0A
GQZ 3.0B
GQZ 3.3A
GQZ 3.3B
GQZ 3.6A
GQZ 3.6B
GQZ 3.9A
GQZ 3.9B
GQZ 4.3A
GQZ 4.3B
GQZ 4.3C
GQZ 4.7A
GQZ 4.7B
GQZ 4.7C
GQZ 5.1A
GQZ 5.1B
GQZ 5.1C
GQZ 5.6A
GQZ 5.6B
GQZ 5.6C
GQZ 6.2A
GQZ 6.2B
GQZ 6.2C
GQZ 6.8A
GQZ 6.8B
GQZ 6.8C
GQZ 7.5A
GQZ 7.5B
GQZ 7.5C
GQZ 8.2A
GQZ 8.2B
GQZ 8.2C
GQZ 9.1A
GQZ 9.1B
GQZ 9.1C
GQZ 10A
GQZ 10B
GQZ 10C
GQZ 10D
GQZ 11A
GQZ 11B
GQZ 11C
2
2
2.2
2.2
2.4
2.4
2.7
2.7
3
3
3.3
3.3
3.6
3.6
3.9
3.9
4.3
4.3
4.3
4.7
4.7
4.7
5.1
5.1
5.1
5.6
5.6
5.6
6.2
6.2
6.2
6.8
6.8
6.8
7.5
7.5
7.5
8.2
8.2
8.2
9.1
9.1
9.1
10
10
10
10
11
11
11
1.88
2.02
2.12
2.22
2.33
2.43
2.54
2.69
2.85
3.01
3.16
3.32
3.46
3.6
3.74
3.89
4.04
4.17
4.3
4.44
4.55
4.68
4.81
4.94
5.09
5.28
5.45
5.61
5.78
5.96
6.12
6.29
6.49
6.66
6.85
7.07
7.29
7.53
7.78
8.03
8.29
8.57
8.83
9.12
9.41
9.7
9.94
10.18
10.5
10.82
2.1
2.2
2.3
2.41
2.52
2.63
2.75
2.91
3.07
3.22
3.38
3.53
3.69
3.84
4.01
4.16
4.29
4.43
4.57
4.68
4.8
4.93
5.07
5.2
5.37
5.55
5.73
5.91
6.09
6.27
6.44
6.63
6.83
7.01
7.22
7.45
7.67
7.92
8.19
8.45
8.73
9.01
9.3
9.59
9.9
10.2
10.44
10.71
11.05
11.38
140
140
120
120
100
100
100
100
80
80
70
70
60
60
50
50
40
40
40
25
25
25
20
20
20
13
13
13
10
10
10
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
10
10
10
2000
2000
2000
2000
2000
2000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
900
900
900
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800
800
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500
500
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300
300
150
150
150
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
120
120
120
120
120
120
120
120
50
50
20
20
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.5
0.5
0.7
0.7
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
2.5
3
3
3
3.5
3.5
3.5
4
4
4
5
5
5
6
6
6
7
7
7
7
8
8
8
Max. Zener Impedance
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ I
ZK
Ω
mA
Max Reverse
Leakage Current
I
R
@ V
R
μ
A
V
V
Z
@ I
ZT
M i n. V
M a x. V
Ω
mA
April 11,2012-REV.01
PAGE . 2
GQZ2.0~GQZ56
Nominal Zener Voltage
Part Number
No m . V
500 mW Zener Diodes
GQZ 12A
GQZ 12B
GQZ 12C
GQZ 13A
GQZ 13B
GQZ 13C
GQZ 15A
GQZ 15B
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GQZ 39B
GQZ 39C
GQZ 39D
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GQZ 47
GQZ 51
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12
12
12
13
13
13
15
15
15
16
16
16
18
18
18
20
20
20
20
22
22
22
22
24
24
24
24
27
27
27
27
30
30
30
30
33
33
33
33
36
36
36
36
39
39
39
39
43
47
51
56
11.13
11.44
11.74
12.11
12.55
12.99
13.44
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14.35
14.8
15.25
15.69
16.22
16.82
17.42
18.02
18.63
19.23
19.72
20.15
20.64
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21.52
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22.61
23.12
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24.97
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26.99
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30.9
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34.01
34.68
35.36
36
36.63
40
44
48
53
11.71
12.03
12.35
12.75
13.21
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16.04
16.51
17.06
17.7
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18.96
19.59
20.22
20.72
21.2
21.71
22.17
22.63
23.18
23.77
24.31
24.85
25.52
26.26
26.95
27.64
28.39
29.13
29.82
30.51
31.22
31.88
32.5
33.11
33.79
34.49
35.13
35.77
36.47
37.19
37.85
38.52
45
49
54
60
12
12
12
14
14
14
16
16
16
18
18
18
23
23
23
28
28
28
28
30
30
30
30
35
35
35
35
45
45
45
45
55
55
55
55
65
65
65
65
75
75
75
75
85
85
85
85
90
90
110
110
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
110
110
110
110
110
110
110
110
110
150
150
150
150
150
150
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
-
-
-
-
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
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0.5
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0.5
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0.5
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0.5
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0.5
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
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0.2
0.2
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0.2
0.2
0.2
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0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
9
9
9
10
10
10
11
11
11
12
12
12
13
13
13
15
15
15
15
17
17
17
17
19
19
19
19
21
21
21
21
23
23
23
23
25
25
25
25
27
27
27
27
30
30
30
30
33
36
39
43
Max. Zener Impedance
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ I
ZK
Ω
mA
Max Reverse
Leakage Current
I
R
@ V
R
μ
A
V
V
Z
@ I
ZT
M i n. V
M a x. V
Ω
mA
April 11,2012-REV.01
PAGE . 3
GQZ2.0~GQZ56
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
POWER DISSIPATION, mWatts
500
400
300
200
100
0
50
100
150
200
O
250
AMBIENT TEMPERATURE, C
FIG. 1 POWER DERATING CURVE
Vz (V)
Iz (mA)
50
40
30
20
10
0
5
10
15
20
25
30
Test Current
Iz = 20mA
24
20
15
12
11
9.1
6.8
6.2
5.6
5.1
4.7
4.3
3.9
2.7
Fig.2 BREAKDOWN CHARACTERISTICS
April 11,2012-REV.01
PAGE . 4
GQZ2.0~GQZ56
MOUNTING PAD LAYOUT
ORDER INFORMATION
• Packing information
T/R - 10K per 13" plastic Reel
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
LEGAL STATEMENT
Copyright PanJit International, Inc 2012
The information presented in this document is believed to be accurate and reliable. The specifications and information herein
are subject to change without notice. Pan Jit makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its
products for any particular purpose. Pan Jit products are not authorized for use in life support devices or systems. Pan Jit
does not convey any license under its patent rights or rights of others.
April 11,2012-REV.01
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azhiking 综合技术交流
求助:花了几千大元参加了SMT工程师认证课程和考试不知道值不值?
刚刚加入SMT行业没多久,朋友一直要我和他一起报名了深圳NEPCON展会的SMT工程师认证课程,而且还要花上几千大元的费用,可是不知道这个证书对我以后的职业规划有没有帮助!请各位前辈给指引一下,谢谢!求助:花了几千大元参加了SMT工程师认证课程和考试不知道值不值?SMT是做什么的楼主也说不清楚?这样的行业我感觉好像挺累的吧那可不是凭感觉来说累不累的这是新兴行业吧,那早点学以后会吃香的哦。...
对不对 综合技术交流
MCU REFO管脚稳定时间是啥意思?和接入电容有何关联
MCUREFO管脚稳定时间是啥意思?和接入电容有何关联MCUREFO管脚稳定时间是啥意思?和接入电容有何关联此段是说某寄存器的某位(ENBGR)设置为1,可以启动参考电压,将某寄存器的某位(ENRFO)设置为1,允许该基准电压通过某引脚(REFO)输出。因为参考电压具有内阻,所以在引脚上接有0.1uF电容时,需要经过0.1ms才能够稳定。电压基准源的输出驱动能力有限,接入外置去耦电容时因电容充电有个过程,所以需要时间才能达到稳定的输出电压。外置去耦电容容量越大,需要的稳定时间则...
QWE4562009 综合技术交流
AI语音芯片火热的背后逻辑是什么?
如果要概括近两年的AI创企现状,融资和造芯是绕不开的话题。而芯片这个词,极有可能会入选2018年年度关键词。从去年开始起来的热度,在中兴事件的催化下,快速发生更强烈的化学反应。这其中,最耐人寻味的便是AI语音芯片的快速崛起。5月到7月,短短两个月的时间,从公开报道的资料可以看到有超过5家公司对外宣布做了AI语音芯片:那么,为什么大家会不约而同的在当下这个时间节点发布AI语音芯片,这背后的逻...
郭光明 综合技术交流
Python是什么?有哪些应用呢?
Python是一种计算机程序设计语言,又被称为胶水语言,可以用混合编译的方式使用c/c++/java等语言的库。有关的5大Python应用领域:1、人工智能Python是一种用LISP和JAVA编译的语言。按照Norvig文章中对Lips和Python的比较,这两种语言彼此非常相似,仅有一些细小的差别。2、数据分析我们都知道现在来临了大数据的时代,数据可以说明一切问题的原因,现在很多做数据分析的不是原来那么简单,Python语言...
huaqingyuanjian 综合技术交流
有奖直播报名:大联大世平集团&恩智浦 | AI 无所不在,单板电脑也可以
直播主题:AI无所不在,单板电脑也可以直播时间:11月14日(周四)10:00-11:00如何报名?(1)进入直播报名页面,点击页面上方报名图片,进入报名流程;(2)登录或者注册大大通后,回到直播报名页面,再次点击页面上方报名图片,提示报名成功即可,报名就有机会获得【WPG保冷餐袋、WPG手提电脑包、指夹式脉搏血氧机、NXP定制礼品】。报名提示:手机和邮箱均需验证后,视为成功报名。1.已注册用户...
EEWORLD社区 综合技术交流