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GQZ4.7B_R2_10001

Zener Diode,

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
包装说明
O-LELF-R2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
JESD-30 代码
O-LELF-R2
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.5 W
标称参考电压
4.7 V
表面贴装
YES
技术
ZENER
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
WRAP AROUND
端子位置
END
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
最大电压容差
2.67%
工作测试电流
20 mA
Base Number Matches
1
文档预览
GQZ2.0~GQZ56
SURFACE MOUNT ZENER DIODES
VOLTAGE
2 to 56 Volts
POWER
500 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
0.055(1.4)DIA.
1.
7)
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.
06
7(
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass QUADRO-MELF
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.03 grams
• Mounting Position: Any
• Packing information
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
0.020(0.5)
0.012(0.3)
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.020(0.5)
0.012(0.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation at T
A
= 25
O
C
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
Value
500
175
-65 to + 175
Units
mW
O
P
TOT
T
J
T
STG
O
Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
Parameter
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Forward Voltage at I
F
= 100mA
Symbol
Min.
--
--
Typ.
Max.
0.3
1
o
Units
C/mW
V
R
Θ
JA
V
F
--
--
Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
April 11,2012-REV.01
0.063(1.6)
C
C
PAGE . 1
GQZ2.0~GQZ56
Nominal Zener Voltage
Part Number
No m . V
500 mW Zener Diodes
GQZ 2.0A
GQZ 2.0B
GQZ 2.2A
GQZ 2.2B
GQZ 2.4A
GQZ 2.4B
GQZ 2.7A
GQZ 2.7B
GQZ 3.0A
GQZ 3.0B
GQZ 3.3A
GQZ 3.3B
GQZ 3.6A
GQZ 3.6B
GQZ 3.9A
GQZ 3.9B
GQZ 4.3A
GQZ 4.3B
GQZ 4.3C
GQZ 4.7A
GQZ 4.7B
GQZ 4.7C
GQZ 5.1A
GQZ 5.1B
GQZ 5.1C
GQZ 5.6A
GQZ 5.6B
GQZ 5.6C
GQZ 6.2A
GQZ 6.2B
GQZ 6.2C
GQZ 6.8A
GQZ 6.8B
GQZ 6.8C
GQZ 7.5A
GQZ 7.5B
GQZ 7.5C
GQZ 8.2A
GQZ 8.2B
GQZ 8.2C
GQZ 9.1A
GQZ 9.1B
GQZ 9.1C
GQZ 10A
GQZ 10B
GQZ 10C
GQZ 10D
GQZ 11A
GQZ 11B
GQZ 11C
2
2
2.2
2.2
2.4
2.4
2.7
2.7
3
3
3.3
3.3
3.6
3.6
3.9
3.9
4.3
4.3
4.3
4.7
4.7
4.7
5.1
5.1
5.1
5.6
5.6
5.6
6.2
6.2
6.2
6.8
6.8
6.8
7.5
7.5
7.5
8.2
8.2
8.2
9.1
9.1
9.1
10
10
10
10
11
11
11
1.88
2.02
2.12
2.22
2.33
2.43
2.54
2.69
2.85
3.01
3.16
3.32
3.46
3.6
3.74
3.89
4.04
4.17
4.3
4.44
4.55
4.68
4.81
4.94
5.09
5.28
5.45
5.61
5.78
5.96
6.12
6.29
6.49
6.66
6.85
7.07
7.29
7.53
7.78
8.03
8.29
8.57
8.83
9.12
9.41
9.7
9.94
10.18
10.5
10.82
2.1
2.2
2.3
2.41
2.52
2.63
2.75
2.91
3.07
3.22
3.38
3.53
3.69
3.84
4.01
4.16
4.29
4.43
4.57
4.68
4.8
4.93
5.07
5.2
5.37
5.55
5.73
5.91
6.09
6.27
6.44
6.63
6.83
7.01
7.22
7.45
7.67
7.92
8.19
8.45
8.73
9.01
9.3
9.59
9.9
10.2
10.44
10.71
11.05
11.38
140
140
120
120
100
100
100
100
80
80
70
70
60
60
50
50
40
40
40
25
25
25
20
20
20
13
13
13
10
10
10
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
10
10
10
2000
2000
2000
2000
2000
2000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
900
900
900
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800
800
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500
500
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300
300
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150
150
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
120
120
120
120
120
120
120
120
50
50
20
20
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.5
0.5
0.7
0.7
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
2.5
3
3
3
3.5
3.5
3.5
4
4
4
5
5
5
6
6
6
7
7
7
7
8
8
8
Max. Zener Impedance
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ I
ZK
Ω
mA
Max Reverse
Leakage Current
I
R
@ V
R
μ
A
V
V
Z
@ I
ZT
M i n. V
M a x. V
Ω
mA
April 11,2012-REV.01
PAGE . 2
GQZ2.0~GQZ56
Nominal Zener Voltage
Part Number
No m . V
500 mW Zener Diodes
GQZ 12A
GQZ 12B
GQZ 12C
GQZ 13A
GQZ 13B
GQZ 13C
GQZ 15A
GQZ 15B
GQZ 15C
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GQZ 39B
GQZ 39C
GQZ 39D
GQZ 43
GQZ 47
GQZ 51
GQZ 56
12
12
12
13
13
13
15
15
15
16
16
16
18
18
18
20
20
20
20
22
22
22
22
24
24
24
24
27
27
27
27
30
30
30
30
33
33
33
33
36
36
36
36
39
39
39
39
43
47
51
56
11.13
11.44
11.74
12.11
12.55
12.99
13.44
13.89
14.35
14.8
15.25
15.69
16.22
16.82
17.42
18.02
18.63
19.23
19.72
20.15
20.64
21.08
21.52
22.05
22.61
23.12
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24.26
24.97
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26.29
26.99
27.7
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29.68
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30.9
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32.79
33.4
34.01
34.68
35.36
36
36.63
40
44
48
53
11.71
12.03
12.35
12.75
13.21
13.66
14.13
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15.09
15.57
16.04
16.51
17.06
17.7
18.33
18.96
19.59
20.22
20.72
21.2
21.71
22.17
22.63
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23.77
24.31
24.85
25.52
26.26
26.95
27.64
28.39
29.13
29.82
30.51
31.22
31.88
32.5
33.11
33.79
34.49
35.13
35.77
36.47
37.19
37.85
38.52
45
49
54
60
12
12
12
14
14
14
16
16
16
18
18
18
23
23
23
28
28
28
28
30
30
30
30
35
35
35
35
45
45
45
45
55
55
55
55
65
65
65
65
75
75
75
75
85
85
85
85
90
90
110
110
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
110
110
110
110
110
110
110
110
110
150
150
150
150
150
150
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
-
-
-
-
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
9
9
9
10
10
10
11
11
11
12
12
12
13
13
13
15
15
15
15
17
17
17
17
19
19
19
19
21
21
21
21
23
23
23
23
25
25
25
25
27
27
27
27
30
30
30
30
33
36
39
43
Max. Zener Impedance
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ I
ZK
Ω
mA
Max Reverse
Leakage Current
I
R
@ V
R
μ
A
V
V
Z
@ I
ZT
M i n. V
M a x. V
Ω
mA
April 11,2012-REV.01
PAGE . 3
GQZ2.0~GQZ56
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
POWER DISSIPATION, mWatts
500
400
300
200
100
0
50
100
150
200
O
250
AMBIENT TEMPERATURE, C
FIG. 1 POWER DERATING CURVE
Vz (V)
Iz (mA)
50
40
30
20
10
0
5
10
15
20
25
30
Test Current
Iz = 20mA
24
20
15
12
11
9.1
6.8
6.2
5.6
5.1
4.7
4.3
3.9
2.7
Fig.2 BREAKDOWN CHARACTERISTICS
April 11,2012-REV.01
PAGE . 4
GQZ2.0~GQZ56
MOUNTING PAD LAYOUT
ORDER INFORMATION
• Packing information
T/R - 10K per 13" plastic Reel
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
LEGAL STATEMENT
Copyright PanJit International, Inc 2012
The information presented in this document is believed to be accurate and reliable. The specifications and information herein
are subject to change without notice. Pan Jit makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its
products for any particular purpose. Pan Jit products are not authorized for use in life support devices or systems. Pan Jit
does not convey any license under its patent rights or rights of others.
April 11,2012-REV.01
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5
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LTC2380-24,24 位 2Msps SAR ADC 145dB动态范围的PCB组团
高端测量必,LTC2380-24,24位2MspsSARADC145dB动态范围的PCB组团LTC2380-24是凌力尔特公司新推出的一款无延迟24位2Msps逐次逼近寄存器(SAR)模数转换器(ADC)。该器件具备集成式数字滤波器,能实时平均1至65,536个转换结果,可将动态范围从1.5Msps输出数据速率时的101dB显著地改善至30.5sps时的145dBLTC2380-2...
littleshrimp 综合技术交流
[分享]在树莓派64位上安装TensorFlow
介绍本页将指导您在RaspberryPi464位操作系统Bullseye上安装TensorFlow2.10.0或更早版本。TensorFlow是一个专门为深度学习开发的大型软件库。它消耗大量资源。你可以在RaspberryPi4上执行TensorFlow,但不要指望奇迹。它可以运行您的模型,如果不是太复杂,但它将无法训练新模型。它也不能执行所谓的迁移学习。除了运行预先构建的深度学习模型外,您还可以使用该库将所谓的冻结TensorFlow模型转换为TensorF...
树莓派开发者 综合技术交流
AM5SE防孤岛装置:分布式光伏电站的安全装置——安科瑞丁佳雯
随着全球对清洁能源和可再生能源的日益重视,分布式光伏发电系统作为一种清洁、可再生的能源形式,得到了广泛推广和应用。然而,随着分布式光伏发电的普及,电网的安全性和稳定性问题逐渐凸显,尤其是孤岛效应对电网和设备构成的潜在威胁。为了解决这一问题,安科瑞电气股份有限公司推出的AM5SE-IS防孤岛保护装置,在分布式光伏监控系统中发挥了至关重要的作用。孤岛效应:当电网供电因故障、误操作或停电维修等原因造成中断供电,各个新能源并网发电系统仍在运行,并向周围负载供电,构成一个电力公司无法控制...
AcrelGyy 综合技术交流
如何在USB-UART之间加入RS485? 使用的CH341芯片作为USB-UART.
请高手指教,我用的CH341这个芯片作为USB转UART芯片,进行通信,但是根据上级要求,在CH341与单片机之间加入一个485,以保证传输稳定。请问如何连接电路,应该注意什么?软件的编写上,又如何做?菜鸟敬上!如何在USB-UART之间加入RS485?使用的CH341芯片作为USB-UART.可以将485接口片直接挂在341的RXD和TXD上,341配置成异步串口模式,485的方向控制用TNOW端口实现,其电路图见下:有关详情,楼主最好去仔细看看CH341的器件手册。软件...
kangqiaoyibie 综合技术交流