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GS2008HE_R1_00001

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon,

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

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器件:GS2008HE_R1_00001

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
应用
GENERAL PURPOSE
外壳连接
CATHODE
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.1 V
JESD-30 代码
R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流
50 A
元件数量
1
相数
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
2 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压
800 V
最大反向电流
1 µA
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
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