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HS1K

High Efficient Rectifier 高效整流二极管

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:扬杰科技(YANGJIE)

厂商官网:http://www.21yangjie.com/

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器件:HS1K

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
扬杰科技(YANGJIE)
包装说明
R-PDSO-C2
Reach Compliance Code
unknow
其他特性
FREE WHEELING DIODE
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.7 V
JEDEC-95代码
DO-214AC
JESD-30 代码
R-PDSO-C2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
最大非重复峰值正向电流
30 A
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
1 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
最大重复峰值反向电压
800 V
最大反向恢复时间
0.075 µs
表面贴装
YES
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
C BEND
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
HS1A THRU HS1M
高效整流二极管
High Efficient Rectifier
■特征
Features
■外½尺寸和印记
Outline Dimensions and Mark
Mounting Pad Layout
0.065
(1.66)
0.080
(2.04)
0.077(1.96)
.012(0.31)
.006(0.15)
0.220
(5.58)
I
o
1.0A
V
RRM
50V-1000V
耐正向浪涌电流½力高
High surge current capability
封装:模压塑料
Cases: Molded plastic
DO-214AC(SMA)
.062(1.58)
.049(1.25)
.187(4.75)
.167(4.25)
.091(2.30)
.075(1.90)
.056(1.41)
.030(0.76)
.111(2.83)
.094(2.40)
■用途
Applications
●整流用
Rectifier
.008(0.20)
.003(0.08)
.208(5.28)
.194(4.93)
Dimensions in inches and (millimeters)
■极限值(绝对最大额定值)
Limiting Values (Absolute Maximum Rating)
参数名称
Item
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Reverse Voltage
正向平均电流
Average Forward Current
正向(不重复)浪涌电流
Surge(Non-repetitive)Forward
Current
结温
Junction Temperature
储存温度
Storage Temperature
符号
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
单½
Unit
V
测试条件
Test Conditions
A
50
正 弦 半 波
60Hz
, 电 阻 负 ½½ ,
TL=110℃
60HZ Half-sine wave, Resistance
load, TL =110℃
正弦半波60Hz,
一个周期,
Ta=25℃
60Hz Half-sine wave ,1 cycle ,
Ta =25℃
HS1
B
100
D
200
G
400
J
600
K
800
M
1000
A
1.0
I
FSM
T
J
T
STG
A
30
-55~+150
-55 ~ +150
■电特性
(Ta=25℃ 除非另有规定)
Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified)
参数名称
Item
正向峰值电压
Peak Forward Voltage
最大反向恢复时间
Maximum reverse recovery
time
反向漏电流
Peak Reverse Current
热阻(典型)
Thermal
Resistance(Typical)
符号
Symbol
V
F
t
rr
I
RRM1
I
RRM2
R
θ
J-A
单½
Unit
V
ns
μA
测试条件
Test Condition
I
F
=1.0A
I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,I
rr
=0.25A
V
RM
=V
RRM
Ta =25℃
Ta =100℃
HS1
A
B
1.0
50
10
100
75
1)
27
1)
D
G
J
1.3
K
1.7
75
M
℃/W
R
θ
J-L
结和环境之间
Between junction and ambient
结和终端之间
Between junction and terminal
备注:Notes:
1)
热阻从结到环境及从结到引线,在电路板的
0.2" x 0.2" (5.0毫米 x 5.0毫米)铜垫片区
Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper
pad areas
Document Number 0144
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
HS1A THRU HS1M
■特性曲线
(典型)
Characteristics(Typical)
1
:正向电流降额曲线
FIG.1: FORWARD CURRENT DERATING CURVE
IO(A)
2
:最大正向浪涌冲击耐受力
FIG.2: MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD URGE CURRENT
IFSM(A)
35
1.0
0.8
30
25
0.6
8.3
毫秒正弦半波
8.3ms Single Half Sine Wave
JEDEC Method
20
0.4
15
10
0.2
Resistive or Inductive Load
P.C.B. Mounted on 0.2"×0.2"
(5.0mm×5.0mm)Copper Pad Areas
0
25
50
75
100
125
150
TL(
)
5
0
0
1
2
10
20
周波数
100
Number of Cycles
3:
典型正向特性曲线
FIG.3: TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
IF(A)
TJ=25
Pulse width=300us
1% Duty Cycle
10
HS1A-D
图4:典型反向特性曲线
FIG.4
TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
IR(uA)
1000
100
100
Tj=100
1.0
HS1G
10
Tj=25
0.1
HS1J-M
1.0
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VF(V)
0.1
0
20
40
60
80
100
Voltage(%)
5:
反向恢复时间试验电路及测试波½示意图
FIG.5: Diagram of circuit and Testing wave form of reverse recovery time
I
D
IF
t
rr
V
R
I
F
R
L
0
I
RR
t
I
R
Document Number 0144
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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