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HS3AB

High Efficient Rectifier 高效整流二极管

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:扬杰科技(YANGJIE)

厂商官网:http://www.21yangjie.com/

器件标准:

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器件:HS3AB

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
扬杰科技(YANGJIE)
Reach Compliance Code
unknow
配置
SINGLE
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1 V
最大非重复峰值正向电流
150 A
元件数量
1
最高工作温度
150 °C
最大输出电流
3 A
最大重复峰值反向电压
50 V
最大反向恢复时间
0.05 µs
表面贴装
YES
文档预览
HS3AB THRU HS3MB
高效整流二极管
High Efficient Rectifier
■特征
Features
■外½尺寸和印记
Outline Dimensions and Mark
M ounting P ad Layout
0.069
(1.76)
0.1 07
(2 .72)
0 .08 1(2 .072)
.0 12(0.31)
.0 06(0.15)
0 .228
(5.8 0)
I
o
3.0A
V
RRM
50V-1000V
耐正向浪涌电流½力高
High surge current capability
封装:模压塑料
Cases: Molded plastic
DO-214AA(SMB)
.0 85(2.15)
.0 73(1.85)
.1 87(4.75)
.1 67(4.25)
.1 03(2.61)
.0 78(1.99)
.056 (1.4 1)
.035 (0.9 0)
.0 08(0.20)
.0 04(0.10)
.220 (5.5 9)
.205 (5.2 1)
.155 (3.9 4)
.130 (3.3 0)
■用途
Applications
●整流用
Rectifier
D im ensions in inches and (m illim eters)
■极限值(绝对最大额定值)
Limiting Values (Absolute Maximum Rating)
参数名称
Item
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Reverse Voltage
正向平均电流
Average Forward Current
正向(不重复)浪涌电流
Surge(Non-repetitive)Forward
Current
结温
Junction Temperature
储存温度
Storage Temperature
符号
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
单½
Unit
V
测试条件
Test Conditions
AB
50
正 弦 半 波
60Hz
, 电 阻 负 ½½ ,
TL=110℃
60HZ Half-sine wave, Resistance
load, TL =110℃
正弦半波60Hz,
一个周期,
Ta=25℃
60Hz Half-sine wave ,1 cycle ,
Ta =25℃
HS3
BB
100
DB
200
GB
400
JB
600
KB
800
MB
1000
A
3
I
FSM
T
J
T
STG
A
150
-55~+150
-55 ~ +150
■电特性
(Ta=25℃ 除非另有规定)
Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified)
参数名称
Item
正向峰值电压
Peak Forward Voltage
最大反向恢复时间
Maximum reverse recovery
time
反向漏电流
Peak Reverse Current
热阻(典型)
Thermal
Resistance(Typical)
符号
Symbol
V
F
t
rr
I
RRM1
I
RRM2
R
θ
J-A
单½
Unit
V
ns
μA
测试条件
Test Condition
I
F
=3.0A
I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,I
rr
=0.25A
V
RM
=V
RRM
Ta =25℃
Ta =100℃
HS3
AB
BB
1.0
50
10
200
47
1)
13
1)
DB
GB
JB
1.3
KB
1.7
75
MB
/W
R
θ
J-L
结和环境之间
Between junction and ambient
结和终端之间
Between junction and terminal
备注:Notes:
1)
热阻从结到环境及从结到引线,在电路板的
0.2" x 0.2" (5.0毫米 x 5.0毫米)铜垫片区
Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper
pad areas
Document Number 0147
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
HS3AB THRU HS3MB
■特性曲线
(典型)
Characteristics(Typical)
IFSM(A)
1
:正向电流降额曲线
FIG.1: FORWARD CURRENT DERATING CURVE
IO(A)
3.5
2
:最大正向浪涌冲击耐受力
FIG.2: MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD URGE CURRENT
200
3.0
2.5
8.3
毫秒正弦半波
8.3ms Single Half Sine Wave
JEDEC Method
2.0
100
1.5
1.0
Resistive or Inductive Load
P.C.B. Mounted on 0.2"×0.2"
(5.0mm×5.0mm)Copper Pad Areas
50
70
90
110
130
150
TL(
)
0.5
0
0
1
10
周波数
100
Number of Cycles
IR(uA)
3:
典型正向特性曲线
FIG.3: TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
IF(A)
100
TJ=25
Pulse width=300us
1% Duty Cycle
10
HS3A-D
图4:典型反向特性曲线
FIG.4
TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
1000
100
Tj=100
1.0
10
Tj=25
HS3G
0.1
HS3J-M
1.0
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VF(V)
0.1
0
20
40
60
80
100
Voltage(%)
5:
反向恢复时间试验电路及测试波½示意图
FIG.5: Diagram of circuit and Testing wave form of reverse recovery time
I
D
IF
t
rr
V
R
I
F
R
L
0
I
RR
t
I
R
Document Number 0147
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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