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JST80N30T2A

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 30V 90A

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:吉思泰(JESTEK)

厂商官网:http://www.jestek.com.cn/

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
90A(Tc)
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
90W(Tc)
类型
N沟道
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