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KF8F212-S20-5

KF8F212 为哈佛结构的精简指令 CPU。在这种结构中,程序和数据总线是相互独立的。 指令字节长度为 16 位,大多数指令能在一个机器周期内执行完成。一共有 68 条指令,效率 高,容易进行指令扩展。芯片内集成了多种外设,包括 2 个 8 位定时器/计数器 T0 和 T2、1 个 16 位定时器/计数器 T1、2 路 8 位 PWM 模块、1 路 10 位增强型 PWM 模块、1 个通用全 双工异步通讯模块、2 个模拟比较器模块、2 个运算放大器模块、1 个 10 位 12/8/4 通道 AD 模块、硬件看门狗和低电压检测及低电压复位模块等。 芯片内集成了 256×8 位的数据存储器 RAM、2K×16 位的程序存储器和 128×16 位的 BLOCK EEPROM。

器件类别:微控制器 - MCU   

厂商名称:芯旺微电子(ChipON)

厂商官网:https://www.chipon-ic.com/

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KF8F212 数据手册 V2.3
8
½微控制器
KF8F212
数据手册
芯旺微电子
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KF8F212 数据手册 V2.3
产品订购信息
型号
订货号
KF8F212-S8
KF8F212-S8-5
KF8F212-S14
KF8F212-S14-5
FLASH
2K×16
½
2K×16
½
2K×16
½
2K×16
½
2K×16
½
2K×16
½
2K×16
½
2K×16
½
RAM
256×8
½
256×8
½
256×8
½
256×8
½
256×8
½
256×8
½
256×8
½
256×8
½
BLOCK
EEPROM
256B
256B
256B
256B
256B
256B
256B
256B
内部晶振
4MHz
4MHz
4MHz
4MHz
4MHz
4MHz
4MHz
4MHz
封装
SOIC-8
SOIC-8
SOIC-14
SOIC-14
SOIC-20
SOIC-20
SSOP-20
SSOP-20
KF8F212
KF8F212-S20
KF8F212-S20-5
KF8F212-SS20
KF8F212-SS20-5
注:订货号中的-5 选项表明芯片在
5V
下工½,不带此选项默认为在
3.3V
工½,以确保时
钟的精度。
版权所有@
上海芯旺微电子有限公司
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成.确保应用符合技术规范,是您自身应负的责任。上海芯旺微电子有限公司不½任½明示
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书面或口头、
法定或其他½式的声明或担保,
包括½不限于针对其½用情况、
质量、
性½、
适销性或特定用途的适用性的声明或担保。
上海芯旺微电子有限公司对因这些信息及
½用这些信息而引起的后果不承担任½责任。
如果将芯旺微电子有限公司的芯片用于生½维
持和或生½安全应用,
一切风险由½用方自负。
½用方同意在由此引发任½一切伤害、
索赔、
诉讼或费用时,会维护和保障上海芯旺微电子有限公司免于承担法律责任,并加以赔偿。
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可½有更新的信息所替
代。上海芯旺微电子有限公司会不定期进行更新,恕不另行通知。½用方如需获得最新的产
品信息,请及时访问上海芯旺微电子有限公司官½或与上海芯旺微电子有限公司联系。
芯旺微电子
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KF8F212 数据手册 V2.3
KF8F212
芯片½用注意事项
芯片的
ESD
防护措½
KF8F212
芯片提供满足工业级
ESD
标准保护电路。
建议用户根据芯片存储/应用的环境
采取适½静电防护措½。应注意应用环境的湿度;建议避免½用容易产生静电的绝缘½;存
放和运输应在抗静电容器、
抗静电屏½袋或导电材料容器中;
包括工½台在内的所有测试和
测量工具必须保证接地;操½者应该½戴静电消除手腕环手套,不½用手直接接触芯片等。
芯片的
EFT
防护措½
KF8F212
芯片提供满足工业级
EFT
标准的保护电路。
MCU
芯片应用在
PCB
系统时,
½
需要遵守
PCB
相关设计要求,包括电源线、地线(包括数字/模拟电源分离,单点/多点接地
等)
、复½管脚保护电路、电源和地之间的去耦电容、高½频电路单独分别处理以及单/多层
板选择等。
芯片的
LATCH-UP
防护措½
为有效防护
LATCH-UP
损坏芯片,
用户需保证在
VDD
引脚上不出现异常高压或者负压。
建议用户在
VDD
VSS
之间并接两个
105
102
大小的电容,电容½量靠近芯片的
VDD
引脚。
芯片的焊接
KF8F212
芯片的焊接应按照工业标准的焊接要求,以免损坏芯片。手工焊接时注意焊
接的温度和焊接时间。
芯片的上电/断电
KF8F212
芯片提供独立电源管脚。½
KF8F212
芯片应用在多电源供电系统时,应先对
MCU
芯片上电,再对系统其他部件上电;反之,断电时,先对系统其他部件断电,再对
MCU
芯片断电。若操½顺序相反则可½导致芯片内部元件过压或过流,从而导致芯片故障
或元件退化。
芯片的复½
KF8F212
芯片提供内部上电复½。对于不同的快速上电/断电或慢速上电/断电系统,内
部上电复½电路可½失效,建议用户½用外部复½、断电复½、看门狗复½等,确保复½电
路正常工½。在系统设计时,若½用外部复½电路,建议采用三极管复½电路、RC 复½电
路。若不½用外部复½电路,建议采用复½管脚接电阻到电源,或采取必要的电源抖动处理
电路或其他保护电路。具½可参照芯片的数据手册说明。
芯片的内部时钟
KF8F212
芯片提供内部时钟源。内部时钟源会随着温度、电压变化而偏移,可½会½
响时钟源精度。具½可参照芯片的数据手册说明。
芯片的初始化
KF8F212
芯片提供各种内部和外部复½。对于不同的应用系统,有必要对芯片寄存器、
内存、功½模块等进行初始化,尤其是
I/O
管脚复用功½进行初始化,避免由于芯片上电以
后,I/O 管脚状态的不确定情况发生。
芯片的管脚
KF8F212
芯片提供½范围的输入管脚电平,用户输入高电平应大于
VIH
的最小值,½
电平应小于
VIL
的最大值,以免波动噪声进入芯片。对于未½用的输入/输出管脚,建议用
户设为输入状态,并通过电阻上拉至电源或下拉至地,或设½为输出管脚,输出固定电平并
浮空。对未½用的管脚处理因应用系统而异,具½遵循应用系统的相关规定和说明。
VDD
VSS
之间需接
104
以上的电容,电容½量靠近
MCU
芯片的
VDD
引脚。
芯旺微电子
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KF8F212 数据手册 V2.3
芯片的½功耗设计
KF8F212
芯片提供½功耗设计模式,用户在实际应用中可根据应用系统的要求采用各
种不同的½功耗模式,包括系统工½时钟的选择和休眠模式的选择等等。
芯片的开发环境
KF8F212
芯片提供完整的½/硬件开发环境,并受知识产权保护。选择上海芯旺微电子
有限公司指定的的汇编器、编译器、编程器、硬件仿真器开发环境,必须遵循与芯片相关的
规定和说明。
芯旺微电子
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KF8F212 数据手册 V2.3
引脚示意图
20
管脚示意图:
V
DD
P0.5/T1CK
P0.4/AN3/T1G/CLKOUT
P0.3/RST/MODE
P1.5/P3A
P1.4/C2OUT/P3B
P1.3/AN7/INT2/P3C
P1.6
P1.7
P2.7/AN11/TX/CK/OP2IN+
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
SS
P0.0/AN0/C1+/SPDAT
P0.1/AN1/ADVRIN/C1-/SPCLK
P0.2/AN2/T0CK/C1OUT/OP1OUT/INT0
P1.0/AN4/C2+/PWM1
P1.1/AN5/C2-/PWM2
P1.2/AN6/INT1/P3D/OP1IN-
P2.4/AN8/OP1IN+
P2.5/AN9/RX/DT/OP2OUT
P2.6/AN10/OP2IN-
KF8F212
14
管脚示意图:
V
DD
P0.5/T1CK
P0.4/AN3/T1G/CLKOUT
P0.3/RST/MODE
P1.5/P3A
P1.4/C2OUT/P3B
P1.3/AN7/INT2/P3C
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
SS
P0.0/AN0/C1+/SPDAT
P0.1/AN1/ADVRIN/C1-/SPCLK
P0.2/AN2/T0CK/C1OUT/INT0
P1.0/AN4/C2+/PWM1
P1.1/AN5/C2-/PWM2
P1.2/AN6/INT1/P3D
KF8F212
8
管脚示意图:
V
DD
P0.5/T1CK
P0.4/AN3/T1G/CLKOUT
P0.3/RST/MODE
1
8
V
SS
P0.0/AN0/SPDAT
P0.1/AN1/ADVRIN/SPCLK
P1.2/AN6/INT1/P3D
KF8F212
2
3
4
7
6
5
注: 用户在正常½用时,通常会有一些用不到的引脚,如果直接把这些管脚悬空,而不做其他
处理可½½单片机功耗增大,因此建议将那些不用的引脚设½为数字输出模式,如果P0.3未
用,应外接上拉电阻。
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