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KIA16N50H

漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):38.5W 类型:N沟道 N沟道 16A 500V

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:可易亚半导体(KIA Semiconductors)

厂商官网:http://www.kiaic.com/page/qiyejianjie.htm

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
16A
栅源极阈值电压
5V @ 250uA
漏源导通电阻
380mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
38.5W
类型
N沟道