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KIA65R700FS

漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:700mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W 类型:N沟道 N沟道 7A 650V

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:可易亚半导体(KIA Semiconductors)

厂商官网:http://www.kiaic.com/page/qiyejianjie.htm

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
7A
栅源极阈值电压
4.5V @ 250uA
漏源导通电阻
700mΩ @ 600mA,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
35W
类型
N沟道
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