KNP4540A

漏源电压（Vdss）：400V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道

器件类别：分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称：可易亚半导体(KIA Semiconductors)

厂商官网：http://www.kiaic.com/page/qiyejianjie.htm