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LD209A

LD209A 金属接近探测器集成电路

器件类别:其他集成电路(IC)   

厂商名称:华奥电子(HUA)

厂商官网:http://www.huaaoe.com/

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特点
简介
方框图
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东华
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振荡器专用电流调节器
负极瞬变抑制
可调的½电平反馈
改进的过热保护性½
VCC = 12V,6mA
电流消耗
输出端吸收电流½力
20mA(4Vcc)
,100mA(24Vcc)
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VBE/R
电流调节器
Automobile Semiconductor
△VBE/R
电流调节器
振荡器
丹东华奥电子有限公司
负瞬变抑制
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解调
http://www.huaaoe.com
比较
金属接近探测器集成电路
LD209A(替代 CS209A)
是一种双极性集成电路,
主要用于金属检测或是接
近感应。
集成电路(见方框图)包含两个片上的电流调节器,振荡器和½电平的反馈
电路,峰值检波/解调电路,一个比较器和两个互补的输出端。
振荡器与外部
LC
½络连接,实现振荡器振幅的可调,这主要依赖于
LC
谐振的
Q
值。
在½
Q
条件,
一个可变½电平反馈电路可以为主振荡器提供驱动。
峰值解调器½够检测振荡器包络的负极部分,并将解调波½输入到比较器中。
通过将解调器的输入与内部基准相比较,比较器确定互补输出端口的状态。输
出引脚需要连接外部负½½。.
内部包含瞬变抑制电路,用来在谐振电路末端吸收负极瞬变。
LD209A
可用于½½速度传感器电路。
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DIP8
SOP8
SOP14
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电子
.h
ua
ao
e.c
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管脚描述
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绝对最大范围
结温度
7
1
2
4
3
6
8
5
DIP8 & SO8
引脚
储存温度
电源电压
3
1
2
6
4
12
10
13
参数
½量消耗
(TA = 125℃)
SO14
5,7,8,9,11,14
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RF
缩写
OSC
GND
TANK
OUT2
OUT1
DIP8&SOP8
DEMOD
V
CC
NC
电源电压
缩写
连接并联谐振电路
Automobile Semiconductor
焊接温度
波峰焊
(仅通孔½式)
回流焊
(仅贴片
½式)
丹东华奥电子有限公司
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静电放电
(
TANK
引脚)
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功½
24
2
SOP14
控制
OUT1
OUT 2
状态的比较器输入端
连接于
OSC
RF
的可变反馈电阻用于设½检查范围
连接于
OSC
RF
的可变反馈电阻用于设½检查范围
互补的集电极开路输出,½
OUT1
为高时, 有金属存在
互补的集电极开路输出,½
OUT1
为½时, 有金属存在
w w
电子
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ua
ao
e.c
om
V
单½
mW
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数值
200
- 55 to +165
10 sec.
最大,
260℃
峰值
60 sec.
大于
183℃, 230℃峰值
- 40 to +150
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kV
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谐振电流
保护电压
释放门限
检测门限
反馈偏压
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输出漏电流
振荡器偏压
电源电流
I
CC
Osc-Rf
偏压
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电特性
-40℃≤ TA
≤125℃,除非另外说明
典型工½特性
参数
解调器充电电流
输出端饱和电压
V
SAT
出½换延时&输出负½½
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V
CC
= 20V
V
CC
= 20V
V
CC
= 20V
V
CC
= 20V
V
CC
= 24V
V
CC
= 20V
I
TANK
= -10mA
V
CC
= 4V
,
I
S
= 20mA
V
CC
= 24V
,
I
S
= 100mA
-60
1.1
1.1
-250
-550
-10.0
550
720
Automobile Semiconductor
丹东华奥电子有限公司
测试环境
V
CC
= 4V
V
CC
= 24V
V
CC
= 12V
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最小值
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-30
1.9
1.9
100
60
200
-300
0.01
-8.9
1200
1440
3.5
6.0
11.0
典型值
-7.0
1700
1950
-10
2.5
2.5
w w
电子
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ua
ao
e.c
om
mV
mV
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550
输出½换延时&温度
V
mV
200
500
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m
V
V
ht
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-100
10.0
µA
µA
µA
mV
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m
最大值
6.0
11.6
20.0
mA
单½
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LD209A
解调电压&距离
(不同的
RF)
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工½原理
LD209A
是一款金属探测电路。电路的工½原理是,在传感器接近金属时,检测它的
Q
值减少
电阻共同组成
(详见测试应用图)。
½源驱动频率同谐振器的振荡频率相同时,
并联谐振器的阻抗值
最高。在
LD209A
中,内部振荡器近似运行在所选择的谐振器的振荡频率。½一个金属物½逐渐接
近传感器时,通过谐振器的电压振幅就会开始下降。½振荡器的包络达到一定值的时候,这个集成
电路就会在输出端完成状态½换。
检测器的工½如下:
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½时,电容器按一定比例放电。因此,在振荡电压的每一个负半周时,解调结束,电容器重新充电。
(见图
1)
,在
DEMOD
管脚上的电容器电压,带有波½的
DC
电压直接同内部的
1.44V
的基准相比
较。 ½内部的比较器翻½时,它会导通一个晶½管,将
23.6kΩ
电阻与
4.8kΩ电阻并联。那么,
终的基准就接近于
1.2V
了。对于阻止错误的触发,这一滞后的存在具有必要性。
越远(见解调电压&不同基准距离图)
。请注意,这是已经定型设备的图表显示,因为瓷½的谐振
Q
值不同决定探测距离不同 。 另外,从图表中也可以观察到,½外部金属物½接近到最远检测距离
后,电容的剩½电压较高。因为,电容剩½电压高于比较器门限电压时会产生翻½动½,所以,对
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于相同的
Q
值传感器,较大的反馈电阻值,可½导致锁存于常开状态。
丹东华奥电子有限公司
Automobile Semiconductor
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w w
电子
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ua
ao
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连接于
OSC
RF
之间的反馈可调电阻½够调节检测的距离范围。电阻越大,检测的距离就
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m
连接
DEMOD
的电容器由一个 内部的
30µA
电流源充电。 在
TANK
端口的谐振器产生负极偏
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量。
LD209A
包含一个振荡器,这个振荡器是由外部的并联谐振器和连接在
OSC
RF
之间的反馈
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LD209A
下面举例说明如½设½检测距离。首先,谐振腔½的
Q
值要足够高,满足集成电路½够进行检
测的距离范围要求。其次,将金属物½½于需要传感器检测的最远距离处。随后调½可调电阻,同
时观察
LD209A
的一个输出端恢复到初始状态(见测试和应用图表)
。再次缓慢调高可调电阻,
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m
直到输出端状态发生变化止。移除金属物½,确认输出端½换到初始状态。通常电路½够检测的最
大距离约
0.3
英寸。Q 值越高,检测的距离越远。
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实际应用中,需要一个磁½,½用就是只在一个方向上聚集磁场。下一步选取磁½材料,必须
是具有较½功耗因素的材料(与
Q
相反)
。传感器的串联阻抗代表功耗因素,也代表频率响应。
为获取高
Q
值,最后一步就是选择导线尺寸。频率越高越快,导线中心的电流密度越½。因此在
导线的表面就会聚集很多电流,产生一个高交流阻抗。实用中广泛½用
LITZ
绞合线。综合各种因
素,工½中的谐振频率在
200
700kHz
之间。
通常情况下确定并联谐振电路
Q
值的公式如下:
Q
P
@≌ R / 2πf
R
L
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这里
R
是磁½的有效阻抗。这个阻抗值包括铁芯损耗和“集肤效应”或
AC
电阻。振荡电容应在
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东华
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推荐的频率范围内进行选取,这样做的目的就是要产生最高的
Q
值。电容器类型应选取具有½
ESR
功½的。 例如:multilayer
ceramic(多层陶瓷)
常见金属:
·
不锈钢
0.101"
·
碳化钢
0.125"
·
0.044"
·
0.053"
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铸造硬币:
· US Quarter 0.055"
· Canadian Quarter 0.113"
· 1 German Mark 0.090"
· 1 Pound Sterling 0.080"
· 100 Italian Lira 0.133"
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w w
电子
.h
ua
ao
e.c
om
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·
黄铜
0.052"
· 100 Japanese Yen 0.093"
其它
· 12 oz. soda can: 0.087"
tp
://
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w.
hu
aa
oe
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m
请注意以上仅是不同金属检测的比较,并不是所½实现的最大检测距离。
丹东华奥电子有限公司
Automobile Semiconductor
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不同金属的检测距离不同。以下就是不同金属在相同应用电路下的检测距离对比:
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.
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