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首页 > 器件类别 > 存储 > 存储

M12S16161A-6BG

512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM

器件类别：存储存储

厂商名称：台湾晶豪(ESMT)

厂商官网：http://www.esmt.com.tw/

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

台湾晶豪(ESMT)

零件包装代码

BGA

包装说明

VFBGA,

针数

60

Reach Compliance Code

unknow

ECCN代码

EAR99

访问模式

DUAL BANK PAGE BURST

最长访问时间

5.5 ns

其他特性

AUTO/SELF REFRESH

JESD-30 代码

R-PBGA-B60

长度

10.1 mm

内存密度

16777216 bi

内存集成电路类型

SYNCHRONOUS DRAM

内存宽度

16

功能数量

1

端口数量

1

端子数量

60

字数

1048576 words

字数代码

1000000

工作模式

SYNCHRONOUS

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

1MX16

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

VFBGA

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

1 mm

自我刷新

YES

最大供电电压 (Vsup)

2.625 V

最小供电电压 (Vsup)

2.375 V

标称供电电压 (Vsup)

2.5 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子形式

BALL

端子节距

0.65 mm

端子位置

BOTTOM

宽度

6.4 mm