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MBR30150PT

肖特基二极管

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

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器件:MBR30150PT

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
零件包装代码
TO-247AD
包装说明
ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN
针数
2
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
其他特性
FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用
EFFICIENCY
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码
TO-247AD
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流
275 A
元件数量
2
相数
1
端子数量
3
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-65 °C
最大输出电流
30 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压
150 V
表面贴装
NO
技术
SCHOTTKY
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
MBR3040PT SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Metal silicon junction, majority carrier conduction
• Low power loss, high efficiency.
• High current capability
• Guardring for overvoltage protection
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.087(2.20)
0.070(1.80)
0.126(3.20)
0.110(2.80)
0.050(1.25)
0.045(1.15)
0.142(3.60)
0.125(3.20)
0.640(16.25)
0.620(15.75)
0.199(5.05)
0.175(4.45)
40 to 200 Volts
CURRENT
30 Amperes
0.600(15.25)
0.580(14.75)
0.839(21.30)
0.819(20.80)
0.095(2.40)
0.170(4.30)
0.145(3.70)
0.798(20.25)
0.777(19.75)
MECHANICAL DATA
• Case: TO-247AD/TO-3P molded plastic
• Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.2245 ounces, 6.3673 grams.
0.030(0.75)
0.017(0.45)
0.225(5.70)
0.204(5.20)
0.225(5.70)
0.204(5.20)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA ME TE R
Maxi mum Recurrent P eak Reverse Voltage
Maxi mum RMS Voltage
Maxi mum D C B locki ng Voltage
Maxi mum A verage F orward C urrent
P eak F orward S urge C urrent : 8.3ms si ngle
half si ne-wave superi mposed on rated load
(JE D E C method)
Maxi mum F orward Voltage at 15A per leg
Maxi mum D C Reverse C urrent at
Rated D C B locki ng Voltage
Typi cal Thermal Resi sta nce
Operati ng Juncti on and S torage Temperature
Range
Note :
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV )
I
FS M
V
F
I
R
R
JC
T
J
,T
S TG
MBR3 040 P T MB R30 45P T MB R30 50 PT MB R306 0P T MB R30 80P T MBR3 090 P T MB R30 100 P T MB R301 50 PT MBR3 02 00P T
UNITS
V
V
V
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
30
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
275
A
0.7
0.75
0.1
20
1.4
0.8
0.05
20
0.9
V
T
J
=25
O
C
T
J
=125
O
C
mA
O
C /W
O
-50 to + 150
-65 to +175
C
Both Bonding and Chip structure are available.
August 30,2010-REV.02
PAGE . 1
MBR3040PT SERIES
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
275
AVERAGE FORWARD RECTIFIED
CURRENT AMPERES
40
30
20
10
0
40V
45-200V
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,
AMPERES
50
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
1
2
5
10
20
50
100
RESISTIVE OR
INDUCTIVE LOAD
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
LEAD TEMPERATURE, C
Fig.1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE
O
NO. OF CYCLE AT 60Hz
Fig.2- MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE
CURRENT
10
INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT, mA
TC=125 C
1.0
O
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,
AMPERES
40
10
8
6
4
2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0 .1
0.1
TC=75 C
O
0.01
TC=25
O
C
40-45V
50-60V
80-100V
150-200V
0 .001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
20
40
60
80
100
PERCENT OF INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE, %
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS
Fig.3- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTIC
Fig.4- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHARACTERISTIC
August 30,2010-REV.02
PAGE . 2
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