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MBR840

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 8A, 40V V(RRM)

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:扬杰科技(YANGJIE)

厂商官网:http://www.21yangjie.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
扬杰科技(YANGJIE)
Objectid
113723375
Reach Compliance Code
compliant
compound_id
181709894
配置
SINGLE
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
0.6 V
最大非重复峰值正向电流
150 A
元件数量
1
最高工作温度
125 °C
最大输出电流
8 A
最大重复峰值反向电压
40 V
表面贴装
NO
技术
SCHOTTKY
文档预览
MBR820 THRU MBR860
肖特基二极管
Schottky Rectifier
■特征
Features
■外½尺寸和印记
Outline Dimensions and Mark
I
o
8A
V
RRM
20V-60V
耐正向浪涌电流½力高
High surge current capability
封装:模压塑料
Cases: Molded plastic
TO-220AC
.412(10.5)
MAX
.113(2.87)
.103(2.62)
.154(3.91)
.148(3.74) .055(1.40)
DIA .045(1.14)
.594(15.1)
.587(14.9)
.16(4.06)
.14(3.56)
PIN1 2
.56(14.22)
.53(13.46)
.11(2.79)
.10(2.54)
.185(4.70)
.175(4.44)
■用途
Applications
.037(0.94)
.027(0.68)
.205(5.20)
.195(4.95)
PIN1
PIN2
●整流用
Rectifier
.025(0.64)
.014(0.35)
PIN1
CASE
PIN2
CASE
Dimensions in inches and (millimeters)
■极限值(绝对最大额定值)
Limiting Values (Absolute Maximum Rating)
参数名称
Item
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Reverse Voltage
正向平均电流
Average Forward Current
正向(不重复)浪涌电流
Surge(Non-repetitive)Forward
Current
结温
Junction Temperature
储存温度
Storage Temperature
符号
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
J
T
STG
单½
Unit
V
A
测试条件
Test Conditions
820
20
正弦半波60Hz,
电阻负½½,
Tc(Fig.1)
60HZ Half-sine wave, Resistance
load, Tc(Fig.1)
正弦半波60Hz,
一个周期,
Ta=25℃
60Hz Half-sine wave ,1 cycle ,
Ta =25℃
-55~+125
MBR
830
30
840
40
8.0
850
50
860
60
A
150
-55~+150
-55 ~ +150
■电特性
(Ta=25℃ 除非另有规定)
Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified)
参数名称
Item
正向峰值电压
Peak Forward Voltage
反向漏电流
Peak Reverse Current
热阻(典型)
Thermal
Resistance(Typical)
符号
Symbol
V
F
I
RRM1
I
RRM2
R
θ
J-C
单½
Unit
V
mA
测试条件
Test Condition
I
F
=8.0A
V
RM
=V
RRM
Ta =25℃
Ta =100℃
MBR
820
830
0.60
0.2
50
8.0
1)
840
850
0.75
860
/W
结和壳之间
Between junction and case
备注:Notes:
1)
热电阻从结到本½,每管脚到散热片的尺寸为
2"×3"×0.25
的铝板
Thermal resistance from junction to case per leg with heat-sink size of 2"×3"×0.25" AL-plate
Document Number 0195
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
MBR820 THRU MBR860
■特性曲线
(典型)
Characteristics(Typical)
1
:正向电流降额曲线
FIG.1: FORWARD CURRENT DERATING CURVE
IO(A)
2
:最大正向浪涌冲击耐受力
FIG.2: MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD URGE CURRENT
IFSM(A)
150
10
8
120
8.3
毫秒正弦半波
8.3ms Single Half Sine Wave
JEDEC Method
MB
6
2
R8
MB
0-8
90
5
R8
0-8
60
4
40
60
2
30
0
50
70
90
110
130
150
Tc(
)
0
1
10
周波数
100
Number of Cycles
IR(mA)
3:
典型正向特性曲线
FIG.3: TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
IF(A)
100
TJ=25
Pulse width=300us
1% Duty Cycle
40
0-8
82
R
MB
图4:典型反向特性曲线
FIG.4
TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
10
Tj=100
60
0-8
85
R
MB
1.0
10
0.1
Tj=75
1.0
0.01
Tj=25
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
VF(V)
0.001
0
20
40
60
80
100
Voltage(%)
Document Number 0195
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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