MBSK12S THRU MBSK110S
肖特基桥式整流器
Schottky Bridge Rectifier
■特征
Features
●
●
■外½尺寸和印记
MBS
Outline Dimensions and Mark
.014(0.35)
.006(0.15)
.083(2.12)
.043(1.10)
I
o
1.0A
V
RRM
20V~100V
●
肖特基芯片
Schottky chip
●
耐正向浪涌电流½力高
High surge forward current capability
●
½正向电压
Low VF
Mounting Pad Layout
0.094
(2.40)
.008(0.20)
MAX
.157(4.00)
.142(3.60)
.276(7.0)
MAX
.102(2.60)
.087(2.20)
.193(4.90)
.177(4.50)
.053(1.53)
.037(0.95)
0.236
(6.00)
.043(1.10)
.028(0.70)
.053(1.53)
.037(0.95)
■用途
Applications
●
0.072
(1.84)
.118(3.0)
MAX
.106(2.70)
.090(2.30)
½一般电源单相桥式整流用
General purpose 1 phase Bridge
rectifier applications
0.047
(1.20)
.033(0.84)
.022(0.56)
Dimensions in inches and (millimeters)
■极限值（绝对最大额定值）
Limiting Values（Absolute Maximum Rating）
参数名称
Item
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Reverse
Voltage
平均整流输出电流
Average Rectified Output
Current
正向（不重复）浪涌电流
Surge(Non-
repetitive)Forward Current
正向浪涌电流的平方对电流
浪涌持续时间的积分值
Current Squared Time
存储温度
Storage Temperature
结温
Junction Temperature
符号 单½
Symbol Unit
V
RRM
V
条件
Conditions
MBSK
12S 14S 16S 18S 110S
20
40
60
80
100
I
O
A
60Hz正弦波，
电阻负½½，Ta=25℃
60Hz sine wave,
R-load, Ta=25℃
安装在氧化铝基板上
On alumina substrate
安装在玻璃-环氧基板上
On glass-epoxi substrate
1.0
0.8
40
I
FSM
A
60H
Z
正弦波，一个周期，T
j
=25℃
60H
Z
sine wave, 1 cycle, T
j
=25℃
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，单个二极管
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode
2
It
A
2
S
℃
℃
6.6
-55 ~+150
-55 ~+150
T
stg
T
j
■电特性 （T
a=25℃
除非另有规定）
Electrical Characteristics
（T
a
=25℃ Unless otherwise specified）
参数名称
Item
正向峰值电压
Peak Forward Voltage
反向峰值电流
Peak Reverse Current
符号 单½
Symbol Unit
V
FM
I
RRM
V
mA
测试条件
Test Condition
I
FM
=0.5A,
脉冲测试，单个二极管的额定值I
FM
=0.5A,
Pulse measurement, Rating of per diode
V
RM
=V
RRM
,脉冲测试，单个二极管的额定值
V
RM
=V
RRM
, Pulse measurement, Rating of per diode
结和环境之间，安装在氧化铝基板上
Between junction and ambient, On alumina substrate
0.55
最大值
Max
0.65
0.5
76
0.85
热阻
Thermal Resistance
R
θ
J-A
℃/W
结和环境之间，安装在玻璃-环氧基板上
Between junction and ambient, On glass-epoxi
substrate
结和引线之间
Between junction and lead
134
R
θ
J-L
20
Document Number 0005
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
MBSK12S THRU MBSK100S
■特性曲线（典型）
Characteristics(Typical)
图
1
：
Io-Ta
曲线
FIG1:Io-Ta Curve
1.8
焊接区soldering land
导½箔conductor layer
基板厚度substrate thickness
IFSM
8.3ms 8.3ms
1cycle
Io(A)
图2：耐正向浪涌电流曲线
FIG2:Surge Forward Current Capadility
②
1mm×1mm
20um
0.64mm
1.5
①
1mm×1mm
35um
70
60
50
0
正弦波
sine wave
1.2
②在氧化铝基板上
on alumina substrate
0.9
正弦波，电阻负½½，
用散热片
sine wave R-load
with heatsink
40
30
20
不重复
non-repetitive
Tj=25
℃
0.6
0.3
①在玻璃-环氧基板上
on glass-epoxi substrate
10
0
0
0
40
80
120
160
Ta(
℃
)
1
2
5
10
20
50
100
Number of Cycles
6
4
2
1
MBSK12S~MBSK14S
IR(mA)
图3：正向电压曲线
FIG3: Forward Voltage
IF(A)
图4：反向电流曲线
FIG4:Typical Reverse Characteristics
Tj=150
℃
10
100
0.5
MBSK18S~MBSK110S
MBSK16S
Ta=25
℃
1
Tj=25
℃
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VF(V)
0.001
0
0.01
MBSK12S~MBSK14S
MBSK16S
MBSK18S~MBSK110S
20
40
60
80
100
Voltage(%)
Document Number 0005
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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