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MCL4148

0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
0.15 A, 100 V, 硅, 信号二极管

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

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器件:MCL4148

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
零件包装代码
MELF
包装说明
O-LELF-R2
针数
2
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1 V
JESD-30 代码
O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流
0.5 A
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-65 °C
最大输出电流
0.15 A
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
最大功率耗散
0.5 W
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
100 V
最大反向恢复时间
0.004 µs
表面贴装
YES
端子形式
WRAP AROUND
端子位置
END
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
DATA SHEET
MCL4148
FAST SWITCHING SURFACE MOUNT DIODES
VOLTAGE
100 Volts
POWER
500 mWatts
MICRO-MELF
Unit : inch (mm)
FEATURES
• Fast switching Speed.
• Surface Mount Package Ideally Suited For Automatic Insertion.
• Silicon Epitaxal Planar Construction.
• Both normal and Pb free product are available :
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
Pb free: 98.5% Sn above
MECHANICAL DATA
Case: MICRO-MELF, Model Glass
Terminals: Solderable per MIL-STD-202E, Method 208
Polarity: Cathode Band
Marking: Cathode Band Only
Weight: 0.01 grams
Packing information
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
T/R - 10K per 13" plastic Reel
.043(1.1)
.008(0.2)
.079(2.0)
.071(1.8)
.008(0.2)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
RMS Voltage
Maximum Average Forward Current at Ta=25
O
C And f > 50Hz
Surge Forward Current at t < 1s and Tj=25
O
C
Power Dissipation at Tamb= 25
O
C
Maximum Forward Voltage at I
F
=10mA
Maximum Leakage Current
at V
R
=20V
at V
R
=75V
at V
R
=20V ,T
J
= 150
O
C
Maximum Capacitance (Note 1)
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Maximum Thermal Resistance
Junction Temperature and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
R
V
RM
V
RMS
I
AV
I
FSM
P
TOT
V
F
I
R
C
J
T
RR
RθJA
T
J
,T
S
MCL4148
75
100
50
150
500
500
1.0
25
5
50
4
4
350
-65 to +175
.049(1.25)
.047(1.2)DIA.
UNITS
V
V
V
mA
mA
mW
V
nA
µA
µA
pF
ns
O
C/W
O
C
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHZ
2. From I
F
=10mA to I
R
=1mA, V
R
=6Volts, R
L
=100Ω
STAD-JUL.30.2004
PAGE . 1
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
A
10
2
I
v=tp / T T=1/fp
tp
I
FRM
T
t
I
FRM
10
1
V=0
V=0.1
10
0
V=0.2
V=0.3
10
-5
10
-1
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
S
tp
Fig.1 ADMISSIBLE REPETITIVE PEAK FORWARD CURRENT VERSUS PULSE DURATION
10
4
10
3
FORWARD RESISTANCE,
W
T
J
=25 C
f=1KHz
10
3
O
FORWARD CURRENT, mA
10
2
10
1
10
2
10
0
10
1
10
-1
10
-2
10
0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
1
FORWARD VOLTAGE, VOLTS
2
FORWARD CURRENT, mA
Fig.2-DYNAMIC FORWARD RESISTANCE
VERSUS FORWARD CURRENT
Fig.3 FORWARD CHARACTERISTICS
POWER DISSIPATION, mW
1.1
500
T
J
=25
O
C
f=1KHz
300
CAPACITANCE, pF
100
200
1.0
0.9
0.8
100
0.7
0
AMBIENT TEMPERATURE
0
2
4
6
8
1.0
REVERSE VOLTAGE, VOLTS
Fig.4 DERATING CURVE
Fig.5 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
STAD-JUL.30.2004
PAGE . 2
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