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MMSZ4689HEWST/R7

Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
包装说明
R-PDSO-F2
针数
2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
外壳连接
CATHODE
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
JESD-30 代码
R-PDSO-F2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.5 W
认证状态
Not Qualified
标称参考电压
5.1 V
表面贴装
YES
技术
ZENER
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
最大电压容差
5%
工作测试电流
0.05 mA
Base Number Matches
1
文档预览
MMSZ4689HEWS
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
5.1 Volts
POWER
500 mWatts
0.004(0.10)MAX.
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.030(0.75)
0.021(0.55)
0.008(0.20)
0.004(0.10)
0.032(0.80)
0.015(0.40)
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.107(2.70)
0.090(2.30)
0.077(1.95)
0.068(1.75)
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-323HE, Molded Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.0006 ounce, 0.0185 gram
0.061(1.55)
0.045(1.15)
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Maximum Power Dissipation (Notes A)
Typical Thermal Resistance (Notes A)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J
,T
STG
Value
500
250
150
-55 to +150
Units
mW
O
C/W
O
C
Nominal Zener Voltage
Part Number
No m. V
MMSZ4689HEWS
5.1
V
Z
@ I
ZT
Mi n. V
4.85
Ma x. V
5.36
Max. Zener
Impedance
I
ZT
mA
0.05
μA
10
Max Reverse
Leakage Current
I
R
@ V
R
V
3
Marking
Code
HCU
NOTES:
A. Mounted FR-5 PCB with minimum recommend pad layout.(PJ_004 REV.0)
March 23,2011-REV.00
PAGE . 1
MMSZ4689HEWS
C
J
, Junction Capacitance (pF)
600
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
P
D
, Power Dissipation
(mW)
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
, Ambient Temperature (°C)
V
R
, Reverse Bias Voltage (V)
Fig.1 Steady-State Power Derating Curve
Fig.2 Typical Junction Capacitance
I
R
,Leakage Current (μA)
50
40
30
20
10
0
0
T
J
= 25°C
I
F
, Forward Current (mA)
60
100
T
J
= 150°C
10
T
J
= 125°C
1
T
J
= 25°C
T
J
= 75°C
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1
2
3
4
5
6
V
R
, Reverse Voltage (V)
V
F
, Forward Voltage (V)
Fig.3 Typical Leakage Characteristics
Fig.4 Typical Forward Characteristics
I
Z
,Zener Current (mA)
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
T
J
= 25°C
V
Z
, Zener Voltage (V)
Fig.5 Typical Zener Characteristics
March 23,2011-REV.00
PAGE . 2
MMSZ4689HEWS
MOUNTING PAD LAYOUT
SOD-323HE
SOD-123HE
Unit: inch(mm)
0.079
(2.0)
0.031
(0.8)
0.043
0.039
(1.1)
0.078
(1.9)
ORDER INFORMATION
• Packing information
T/R - 12K per 13" plastic Reel
T/R - 5K per 7” plastic Reel
LEGAL STATEMENT
Copyright PanJit International, Inc 2011
The information presented in this document is believed to be accurate and reliable. The specifications and information herein are
subject to change without notice. Pan Jit makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for
any particular purpose. Pan Jit products are not authorized for use in life support devices or systems. Pan Jit does not convey any
license under its patent rights or rights of others.
March 23,2011-REV.00
(1.0)
PAGE . 3
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